5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.61 |
| 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 快速连接描述： | 2G-2GR |
| 螺丝端子的描述： | 2K-CA | 通态非重复峰值电流： | 6400 A |
| 元件数量： | 2 | 最大通态电流： | 200000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 重复峰值反向电压： | 800 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TT200F08KFC-A | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Ele |
|
| TT200F08KFL | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Ele |
|
| TT200F08KFL-A | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 200000mA I(T), 800V V(RRM), 2 Element |
|
| TT200F08KFM-A | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Ele |
|
| TT200F10KEB | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 E |
|
| TT200F10KEC | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 E |
|
| TT200F10KEC-A | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 200000mA I(T), 1000V V(RRM), 2 Element |
|
| TT200F10KEC-K | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 200000mA I(T), 1000V V(RRM), 2 Element |
|
| TT200F10KFB | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 E |
|
| TT200F10KFB-A | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 E |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
