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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | MODULE-7 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.61 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | 最大直流栅极触发电流： | 250 mA |
| 快速连接描述： | 2G-2GR | 螺丝端子的描述： | A-K-AK |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 通态非重复峰值电流： | 6400 A |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 最大通态电流： | 200000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 最大均方根通态电流： | 410 A |
| 断态重复峰值电压： | 1100 V | 重复峰值反向电压： | 1100 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TT200F11KFC | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 2 E |
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| TT200F11KFL | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 2 E |
|
| TT200F11KFM | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 2 E |
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| TT200F11KSB | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 2 E |
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| TT200F11KSB-A | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 200000mA I(T), 1100V V(RRM), 2 Element |
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| TT200F11KSM | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 2 E |
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| TT200F12KEB | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 E |
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| TT200F12KEC | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 E |
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| TT200F12KEC-K | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 200000mA I(T), 1200V V(RRM), 2 Element |
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| TT200F12KFM | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 E |
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