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TT121N

更新时间： 2024-11-18 12:20:03

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描述
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module

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TT121N 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT121N

Phase Control Thyristor Module

TT121N

TD121N

DT121N

000Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1200

1600

2000

1400 V

1800 V

V_DRM,V_RRM

1200

1600

2000

1300

1700

2100

1400 V

1800 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

1500 V

1900 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

200 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

121 A

128 A

T_C= 85°C

T_C= 81°C

2600 A

2350 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

33800 A²s

27600 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6 f = 50 Hz,

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

_GM= 0,6A, di_G/dt = 0,6A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter C

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

500 V/µs

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

1,65 V

0,85 V

2 mΩ

T_vj= T_{vj max}, i_T= 350 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

V_(TO)

r_T

T_vj= T_{vj max}

max.

Zündstrom

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

150 mA

1,4 V

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

5,0 mA

2,5 mA

0,2 V

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

200 mA

620 mA

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

i_GM= 0,6A, di_G/dt = 0,6A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

25 mA

3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6 T_vj= 25 °C,

_GM= 0,6 A, di_G/dt = 0,6 A/µs

1) 2000V auf Anfrage / 2000V on request

C.Drilling

date of publication: 15.05.02

prepared by:

revision:

approved by: J. Novotny

BIP AC 15.05.2002; Drilling

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TT121N12KOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
TT121N12KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
TT121N14KOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
TT121N14KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 121000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 E
TT121N16KOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
TT121N16KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
TT121N18KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 121000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 2 E
TT121N2	SWITCH	获取价格	Interconnection Device,
TT121N20KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
TT121N4	SWITCH	获取价格	Interconnection Device,

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