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TT121N18KOF

更新时间： 2024-11-19 04:53:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
13页	413K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 121000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 2 Element, MODULE-7

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TT121N18KOF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MODULE	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数：	7	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.73
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	最大直流栅极触发电流：	150 mA
最大直流栅极触发电压：	1.4 V	快速连接描述：	2G-2GR
螺丝端子的描述：	A-K-AK	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
最大漏电流：	25 mA	通态非重复峰值电流：	2400 A
元件数量：	2	端子数量：	7
最大通态电流：	121000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	200 A	断态重复峰值电压：	1800 V
重复峰值反向电压：	1800 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

TT121N18KOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT121N

Phase Control Thyristor Module

TT121N

TD121N

DT121N

000Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1200

1600

2000

1400 V

1800 V

V_DRM,V_RRM

1200

1600

2000

1300

1700

2100

1400 V

1800 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

1500 V

1900 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

200 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

121 A

128 A

T_C= 85°C

T_C= 81°C

2600 A

2350 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

33800 A²s

27600 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6 f = 50 Hz,

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

_GM= 0,6A, di_G/dt = 0,6A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter C

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

500 V/µs

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

1,65 V

0,85 V

2 mΩ

T_vj= T_{vj max}, i_T= 350 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

V_(TO)

r_T

T_vj= T_{vj max}

max.

Zündstrom

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

150 mA

1,4 V

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

5,0 mA

2,5 mA

0,2 V

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

200 mA

620 mA

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

i_GM= 0,6A, di_G/dt = 0,6A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

25 mA

3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6 T_vj= 25 °C,

_GM= 0,6 A, di_G/dt = 0,6 A/µs

1) 2000V auf Anfrage / 2000V on request

C.Drilling

date of publication: 15.05.02

prepared by:

revision:

approved by: J. Novotny

BIP AC 15.05.2002; Drilling

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