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TSMBJ0518C PDF预览

TSMBJ0518C

更新时间： 2024-09-26 22:30:23
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美微科 - MCC 装置
页数 文件大小 规格书
4页 426K
描述
Transient Voltage Protection Device 75 to 320 Volts

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TSMBJ0518C 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-214AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.47最大转折电压：300 V
配置：SINGLE最大断态直流电压：220 V
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e0通态非重复峰值电流：30 A
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SILICON SURGE PROTECTORBase Number Matches：1

TSMBJ0518C 数据手册

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TSMBJ0506C  
THRU  
TSMBJ0524C  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
Transient Voltage  
Protection Device  
75 to 320 Volts  
·
·
·
·
·
Oxide-Glass passivated Junction  
Bi-Directional protection in a single device  
Surge capabilities up to 80A@10/1000us or 250A@8/20us  
High Off-State impedance and Low On-State voltage  
Plastic material has UL flammability classification 94V-0  
DO-214AA  
(SMBJ)  
Mechanical Data  
H
·
·
·
Case : Molded plastic  
Cathode Band  
Polarity : None cathode band denotes  
Approx Weight : 0.093grams  
J
Maximum Rating  
Characteristic  
Non-repetitive peak  
impulse current  
Symbol  
Value  
Unit  
10/1000us  
A
C
I
PP  
80A  
E
D
Non-repetitive peak  
On-state current  
Operating temperature  
range  
Junction and storage  
temperature range  
8.3ms, one-half  
cycle  
B
ITSM  
30A  
F
G
T
OP  
-40~150oC  
-55~150oC  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
.078  
.077  
.002  
---  
.030  
.065  
.205  
.160  
.130  
MM  
MIN  
TJ, T  
STG  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.096  
.083  
.008  
.02  
MAX  
2.44  
2.10  
.20  
NOTE  
2.00  
1.96  
.05  
---  
.51  
.060  
.091  
.220  
.180  
.155  
.76  
1.52  
2.32  
5.59  
4.57  
3.94  
F
1.65  
5.21  
4.06  
3.30  
G
H
J
Thermal Resistance  
Characteristic  
Thermal Resistance  
junction to lead  
Symbol  
Value  
20oC/W  
Unit  
SUGGESTED SOLDER  
PAD LAYOUT  
R
JL  
0.090"  
Thermal Resistance  
junction to ambient  
On recommended  
pad layout  
100oC/W  
R
JA  
Typical positive  
temperature  
coefficient for  
0.085”  
0.1%/oC  
△
△
TJ  
VBR  
/
breakdown voltage  
0.070”  
www.mccsemi.com  
1234

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与TSMBJ0518C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TSMBJ0522C MCC

获取价格

 		Transient Voltage Protection Device 75 to 320 Volts
TSMBJ0522C MICROSEMI

获取价格

 		Silicon Surge Protector, 350V V(BO) Max, 30A, DO-214AA
TSMBJ0522C-TP MCC

获取价格

 		Silicon Surge Protector, 350V V(BO) Max, 30A, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
TSMBJ0524C MCC

获取价格

 		Transient Voltage Protection Device 75 to 320 Volts
TSMBJ0524C MICROSEMI

获取价格

 		Silicon Surge Protector, 400V V(BO) Max, 30A, DO-214AA
TSMBJ0524CP MCC

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 		暂无描述
TSMBJ0524C-TP MCC

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 		暂无描述
TSMBJ0527C ETC

获取价格

 		SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|440V V(BO) MAX|DO-215AA
TSMBJ0527CE3 MICROSEMI

获取价格

 		Silicon Surge Protector, 440V V(BO) Max, 30A, DO-214AA,
TSMBJ1005C MICROSEMI

获取价格

 		Bi-Directional 100 Amp 50-270 Volts Thyristor Surge Protective Device

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