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Datasheet > 触发装置 > 硅浪涌保护器> TSMBJ1005C-064P
TSMBJ1005C-064P PDF预览

TSMBJ1005C-064P

更新时间： 2024-02-08 00:17:12
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 触发装置硅浪涌保护器光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 422K
描述
Silicon Surge Protector, 77V V(BO) Max, 50A, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN

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TSMBJ1005C-064P 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-214AA包装说明：PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最大转折电压：77 V配置：SINGLE
最大断态直流电压：58 VJEDEC-95代码：DO-214AA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
通态非重复峰值电流：50 A元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10触发设备类型：SILICON SURGE PROTECTOR
Base Number Matches：1

TSMBJ1005C-064P 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TSMBJ1005C-064  
Features  
Transient Voltage  
Protection Device  
58 Volts  
·
·
·
·
·
Oxide-Glass passivated Junction  
Bi-Directional protection in a single device  
Surge capabilities up to 100A@10/1000us or 400A@8/20us  
High Off-State impedance and Low On-State voltage  
Plastic material has UL flammability classification 94V-0  
DO-214AA  
(SMBJ)  
Mechanical Data  
·
·
·
Case : Molded plastic  
H
Cathode Band  
Polarity : None cathode band denotes  
Approx Weight : 0.093grams  
J
Maximum Ratings  
Characteristic  
Non-repetitive peak  
impulse current  
Symbol  
Value  
Unit  
10/1000us  
A
C
I
PP  
100A  
E
Non-repetitive peak  
On-state current  
Operating temperature  
range  
Junction and storage  
temperature range  
8.3ms, one-half  
cycle  
D
B
ITSM  
50A  
F
G
T
OP  
-40~150oC  
-55~150oC  
DIMENSIONS  
TJ, T  
INCHES  
MIN  
.078  
.077  
.002  
---  
.030  
.065  
.205  
.160  
.130  
MM  
MIN  
STG  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.096  
.083  
.008  
.02  
MAX  
2.44  
2.10  
.20  
NOTE  
2.00  
1.96  
.05  
---  
.51  
.060  
.091  
.220  
.180  
.155  
.76  
1.52  
2.32  
5.59  
4.57  
3.94  
F
1.65  
5.21  
4.06  
3.30  
G
H
J
Thermal Resistance  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
SUGGESTED SOLDER  
PAD LAYOUT  
Thermal Resistance  
junction to lead  
20oC/W  
R
JL  
0.090"  
Thermal Resistance  
junction to ambient  
On recommended  
pad layout  
100oC/W  
R
JA  
Typical positive  
temperature  
coefficient for  
0.085”  
0.1%/oC  
△
△
TJ  
VBR  
/
breakdown voltage  
0.070”  
www.mccsemi.com  
1234

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与TSMBJ1005C-064P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TSMBJ1005C-072 MCC

获取价格

 		Transient Voltage Protection Device 65 Volts
TSMBJ1005C-072P MCC

获取价格

 		Silicon Surge Protector, 88V V(BO) Max, 50A, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
TSMBJ1005CB MICROSEMI

获取价格

 		Silicon Surge Protector, 100V V(BO) Max, 60A, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
TSMBJ1006C MCC

获取价格

 		Transient Voltage Protection Device 75 to 320 Volts
TSMBJ1006C MICROSEMI

获取价格

 		Bi-Directional 100 Amp 50-270 Volts Thyristor Surge Protective Device
TSMBJ1007C MICROSEMI

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TSMBJ1007CE3 MICROSEMI

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TSMBJ1009C MICROSEMI

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 		Bi-Directional 100 Amp 50-270 Volts Thyristor Surge Protective Device
TSMBJ1009C-130 MCC

获取价格

 		Transient Voltage Protection Device 120 Volts

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