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TSMBJ1016C

更新时间: 2024-09-30 11:47:55
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美高森美 - MICROSEMI 触发装置硅浪涌保护器光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 184K
描述
Bi-Directional 100 Amp 50-270 Volts Thyristor Surge Protective Device

TSMBJ1016C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-214AA包装说明:PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.92Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED最大转折电压:265 V
配置:SINGLE最大断态直流电压:160 V
最大维持电流:750 mAJEDEC-95代码:DO-214AA
JESD-30 代码:R-PDSO-C2通态非重复峰值电流:60 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified子类别:Silicon Surge Protectors
表面贴装:YES端子形式:C BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SILICON SURGE PROTECTORBase Number Matches:1

TSMBJ1016C 数据手册

  

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