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TSMBJ1010C

更新时间: 2024-09-28 22:49:31
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美高森美 - MICROSEMI 触发装置硅浪涌保护器光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 184K
描述
Bi-Directional 100 Amp 50-270 Volts Thyristor Surge Protective Device

TSMBJ1010C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.91
最大转折电压:200 V配置:SINGLE
最大断态直流电压:100 V最大维持电流:750 mA
JEDEC-95代码:DO-214AAJESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e0通态非重复峰值电流:50 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified子类别:Silicon Surge Protectors
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SILICON SURGE PROTECTOR
Base Number Matches:1

TSMBJ1010C 数据手册

  

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