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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.92 | 最大转折电压： | 440 V |
| 配置： | SINGLE | 最大断态直流电压： | 270 V |
| 最大维持电流： | 750 mA | JEDEC-95代码： | DO-215AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 通态非重复峰值电流： | 30 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Silicon Surge Protectors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SILICON SURGE PROTECTOR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TSMBG0527CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Surge Protector, 440V V(BO) Max, 30A, DO-215AA, |
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| TSMBG1005C | ETC |
获取价格 |
SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|100V V(BO) MAX|DO-215AA |
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| TSMBG1006C | ETC |
获取价格 |
SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|110V V(BO) MAX|DO-215AA |
|
| TSMBG1007C | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Surge Protector, 145V V(BO) Max, 50A, DO-215AA |
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| TSMBG1007CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Surge Protector, 145V V(BO) Max, 50A, DO-215AA, |
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| TSMBG1009C | ETC |
获取价格 |
SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|185V V(BO) MAX|DO-215AA |
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| TSMBG1010C | ETC |
获取价格 |
SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|200V V(BO) MAX|DO-215AA |
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| TSMBG1010CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Surge Protector, 200V V(BO) Max, 50A, DO-215AA, |
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| TSMBG1011C | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Surge Protector, 210V V(BO) Max, 50A, DO-215AA |
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| TSMBG1011CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Surge Protector, 210V V(BO) Max, 50A, DO-215AA, |
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