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TSM3911DCX6RF

更新时间： 2024-10-14 03:57:43

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描述
20V Dual P-Channel MOSFET

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TSM3911DCX6RF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.76
其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	2.2 A
最大漏源导通电阻：	0.14 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TSM3911DCX6RF 数据手册

TSM3911D

20V Dual P-Channel MOSFET

PRODUCT SUMMARY

SOT-26

Pin Definition:

V_DS(V)

R_DS(on)(mΩ)

I_D(A)

-2.2

1. Gate 1

6. Drain 1

2. Source 2 5, Source 1

140 @ V_GS= -4.5V

200 @ V_GS= -2.5V

300 @ V_GS= -1.8V

3. Gate 2

4. Drain 2

-20

-1.8

-1.5

Features

Block Diagram

●

Advance Trench Process Technology

High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance

Application

●

Load Switch

PA Switch

Ordering Information

Part No.

Package

SOT-26

Packing

TSM3911DCX6 RF

T&R

Dual P-Channel MOSFET

Absolute Maximum Rating (Ta = 25 ^oC unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

-20

Unit

Drain-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

Gate-Source Voltage

±8

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a,b

-2.2

I_DM

I_S

-8

-0.72

1.15

0.73

+150

- 55 to +150

Ta = 25 ^oC

Ta = 70 ^oC

Maximum Power Dissipation

P_D

Operating Junction Temperature

T_J

^oC

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

Thermal Performance

Parameter

Symbol

RӨ_JF

Limit

Unit

^oC/W

Junction to Case Thermal Resistance

Junction to Ambient Thermal Resistance (PCB mounted)

Notes:

RӨ_JA

a. Pulse width limited by the Maximum junction temperature

b. Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 5 sec.

1/6

Version: A07

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