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TSHA6202-ES12

更新时间： 2024-01-28 18:07:56
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 半导体
页数 文件大小 规格书
6页 120K
描述
Infrared LED, 875nm

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TSHA6202-ES12 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.67
最大正向电流：0.1 A最大正向电压：1.8 V
安装特点：THROUGH HOLE MOUNT最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C峰值波长：875 nm
最大反向电压：5 V半导体材料：GaAlAs
光谱带宽：8e-8 m子类别：Infrared LEDs
表面贴装：NO视角：24 deg
Base Number Matches：1

TSHA6202-ES12 数据手册

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TSHA6200, TSHA6201, TSHA6202, TSHA6203  
Vishay Semiconductors  
Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs  
FEATURES  
• Package type: leaded  
• Package form: T-1¾  
• Dimensions (in mm): Ø 5  
• Peak wavelength: λp = 875 nm  
• High reliability  
• Angle of half intensity: ϕ = 12ꢀ  
• Low forward voltage  
• Suitable for high pulse current operation  
• Good spectral matching with Si photodetectors  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
94 8389  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
DESCRIPTION  
APPLICATIONS  
• Infrared remote control and free air data transmission  
systems  
• This emitter series is dedicated to systems with panes in  
transmission space between emitter and detector,  
because of the low absorbtion of 875 nm radiation in glass  
The TSHA620. series are infrared, 875 nm emitting diodes in  
GaAlAs technology, molded in a clear, untinted plastic  
package.  
PRODUCT SUMMARY  
COMPONENT  
TSHA6200  
TSHA6201  
TSHA6202  
TSHA6203  
Ie (mW/sr)  
ϕ (deg)  
12  
λ
P (nm)  
875  
tr (ns)  
600  
40  
50  
60  
65  
12  
875  
600  
12  
875  
600  
12  
875  
600  
Note  
Test conditions see table “Basic Characteristics“  
ORDERING INFORMATION  
ORDERING CODE  
PACKAGING  
REMARKS  
PACKAGE FORM  
TSHA6200  
Bulk  
Bulk  
Bulk  
Bulk  
MOQ: 4000 pcs, 4000 pcs/bulk  
MOQ: 4000 pcs, 4000 pcs/bulk  
MOQ: 4000 pcs, 4000 pcs/bulk  
MOQ: 4000 pcs, 4000 pcs/bulk  
T-1¾  
T-1¾  
T-1¾  
T-1¾  
TSHA6201  
TSHA6202  
TSHA6203  
Note  
MOQ: minimum order quantity  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
Reverse voltage  
VR  
IF  
5
100  
V
mA  
mA  
A
Forward current  
Peak forward current  
tp/T = 0.5, tp = 100 µs  
tp = 100 µs  
IFM  
IFSM  
PV  
200  
Surge forward current  
Power dissipation  
2.5  
180  
mW  
ꢀC  
Junction temperature  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
Soldering temperature  
Tj  
100  
Tamb  
Tstg  
Tsd  
- 40 to + 85  
- 40 to + 100  
260  
ꢀC  
ꢀC  
t ≤ 5 s, 2 mm from case  
ꢀC  
Thermal resistance junction/ambient  
Note  
amb = 25 ꢀC, unless otherwise specified  
J-STD-051, leads 7 mm, soldered on PCB  
RthJA  
230  
K/W  
T
Document Number: 81021  
Rev. 1.8, 25-Jun-09  
For technical questions, contact: emittertechsupport@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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