生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 3 A | 集电极-发射极最大电压: | 50 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 82 |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 90 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TSD1760CPS | TSC |
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Low Vce(sat) NPN Transistor |
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TSD1760_1 | TSC |
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Low Vcesat NPN Transistor |
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TSD18 | ETC |
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EURO TERMINAL BLOCKS |
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TSD18 | TI |
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采用 SOD-323 封装的 18V 单向浪涌保护器件 |
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TSD18 | BL Galaxy Electrical |
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18V,350W,Surface Mount TVS |
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TSD180 | FENGJUI |
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SMD POWER INDUCTOR-RoHS |
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TSD180N10F | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 180A I(D) |
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TSD180N10V | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 180A I(D) |
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TSD181 | FENGJUI |
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SMD POWER INDUCTOR-RoHS |
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TSD182 | FENGJUI |
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SMD POWER INDUCTOR-RoHS |
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