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TSC136LCHC5

更新时间: 2024-11-21 08:35:23
品牌 Logo 应用领域
TSC 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
6页 429K
描述
High Voltage NPN Transistor

TSC136LCHC5 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:ROHS COMPLIANT, IPAK-3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):5
JEDEC-95代码:TO-251JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4 MHz

TSC136LCHC5 数据手册

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TSC136L  
High Voltage NPN Transistor  
TO-251  
(IPAK)  
TO-252  
(DPAK)  
Pin Definition:  
1. Base  
PRODUCT SUMMARY  
BVCEO  
BVCBO  
IC  
400V  
2. Collector  
3. Emitter  
700V  
2A  
VCE(SAT)  
0.6V @ IC / IB = 1.5A / 0.5A  
Features  
Block Diagram  
High Voltage  
High Speed Switching  
Structure  
Silicon Triple Diffused Type  
NPN Silicon Transistor  
Ordering Information  
Part No.  
Package  
Packing  
TSC136LCP RO  
TSC136LCP ROG  
TSC136LCH C5  
TSC136LCH C5G  
TO-252  
TO-252  
TO-251  
TO-251  
2.5Kpcs / 13” Reel  
2.5Kpcs / 13” Reel  
70pcs / Tube  
70pcs / Tube  
Note: “G” denote for Halogen Free Product  
Absolute Maximum Rating (Ta = 25oC unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Total Dissipation @ TC 25oC  
Collector Peak Current (tp <5ms)  
Collector Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
PTOT  
ICM  
700  
400  
V
9
V
40  
W
A
4
IC  
2
2
A
Base Peak Current (tp <5ms)  
Base Current  
IBM  
A
IB  
1.5  
A
Maximum Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
TJ  
+150  
-65 to +150  
oC  
oC  
TSTG  
Thermal Performance  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
oC/W  
Junction to Case Thermal Resistance  
RӨJC  
2.08  
1/6  
Version: B09  

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