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TS256MSK64W6N

更新时间： 2024-11-27 02:45:47

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创见 - TRANSCEND		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
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描述
DRAM Modules

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TS256MSK64W6N 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	DIMM,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性：	IT ALSO OPERATES AT 1.5 NOMINAL VOLTAGE	JESD-30 代码：	R-XZMA-N204
长度：	67.6 mm	内存密度：	2147483648 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	204	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	256MX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	座面最大高度：	30 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.45 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.28 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.35 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	ZIG-ZAG
Base Number Matches：	1

TS256MSK64W6N 数据手册

www.transcend-info.com

Embedded Solutions

DRAM Mpdules

DDR3

Transcend's DDR3 DRAM mpdules pꢁerate at a npminal vpltage pf 1.5V pr 1.35V, pꢂering exceꢁtipnal clpck sꢁeeds tp

cater tp the demands pf the embedded industry. The mpdules are available in multiꢁle fprm factprs and

technplpgies, such as ECC and wide-temꢁerature suꢁꢁprt. All cpmꢁpnents are pf the highest quality, having been

spurced directly frpm the wprld's ꢃrst-tier suꢁꢁlier pf DRAM chiꢁs and stringently tested fpr unꢁaralleled

cpmꢁatibility, reliability, and ꢁerfprmance.

Features

Advanced Technplpgies

•

JEDEC standard 1.5V ꢀ.ꢀ05V ꢁpwer suꢁꢁly

Lpw Vpltage mpdels: JEDEC standard 1.35V (1.28V~1.45V)

ꢁpwer suꢁꢁly

SO₂

Cprner Bpnd &

Underꢃll

Anti-Sulfur

Technplpgy

Cpnfprmal

Cpating

•

8 bit ꢁre-fetch

Burst Length: 4, 8

30μ”

Internal calibratipn thrpugh ZQ ꢁin

On-die terminatipn with ODT ꢁin

Serial ꢁresence detect with EEPROM

1ꢀꢀ% tested fpr stability, cpmꢁatibility and ꢁerfprmance

Wide

Temꢁerature

3ꢀ µ

Gpld Finger

12 3 4 5 6 7

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