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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.4 A |
| 配置： | Single | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 标称过渡频率 (fT)： | 0.05 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TRS4755 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 475V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-37VAR |
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| TRS4804S | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 480V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-5 |
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| TRS4805S | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 480V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-37VAR |
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| TRS4A65F | TOSHIBA |
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650 V/4 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220F-2L |
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| TRS4E65F | TOSHIBA |
获取价格 |
650 V/4 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220-2L |
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| TRS4E65H | TOSHIBA |
获取价格 |
650 V/4 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220-2L |
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| TRS4-ED11432/1 | MINI |
获取价格 |
RF Transformer, 2.5MHz Min, 750MHz Max |
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| TRS4-ED11432/1+ | MINI |
获取价格 |
RF Transformer, 2.5MHz Min, 750MHz Max, |
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| TRS4-ED11435/1+ | MINI |
获取价格 |
RF Transformer, 0.14MHz Min, 650MHz Max, |
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| TRS4V65H | TOSHIBA |
获取价格 |
650 V/4 A SiC Schottky Barrier Diode, DFN8×8 |
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