是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | 最大集电极电流 (IC): | 0.4 A |
配置: | Single | 最小直流电流增益 (hFE): | 30 |
JESD-609代码: | e0 | 最高工作温度: | 175 °C |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 2 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT): | 50 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TRS4804S | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 480V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-5 | |
TRS4805S | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 480V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-37VAR | |
TRS4A65F | TOSHIBA |
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650 V/4 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220F-2L | |
TRS4E65F | TOSHIBA |
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650 V/4 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220-2L | |
TRS4E65H | TOSHIBA |
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650 V/4 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220-2L | |
TRS4-ED11432/1 | MINI |
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RF Transformer, 2.5MHz Min, 750MHz Max | |
TRS4-ED11432/1+ | MINI |
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RF Transformer, 2.5MHz Min, 750MHz Max, | |
TRS4-ED11435/1+ | MINI |
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RF Transformer, 0.14MHz Min, 650MHz Max, | |
TRS4V65H | TOSHIBA |
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650 V/4 A SiC Schottky Barrier Diode, DFN8×8 | |
TRS5006 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 |