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TRF1216IRGPR

更新时间： 2024-02-09 06:48:30

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德州仪器 - TI		射频和微波射频上变频器射频下变频器微波上变频器微波下变频器
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描述
3.5-GHz, HIGH DYNAMIC RANGE, LOW-NOISE DOWN-CONVERTER

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TRF1216IRGPR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	GREEN, PLASTIC, RGP, QFN-20
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
下变频增益-最小值：	27 dB	最大中频频率：	500 MHz
最小中频频率：	400 MHz	输入功率最小值（CW）：	10 dBm
JESD-609代码：	e3	LO 可调谐：	YES
安装特点：	SURFACE MOUNT	端子数量：	20
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	LCC20,.16SQ,20
电源：	5 V	最大射频输入频率：	3800 MHz
最小射频输入频率：	3300 MHz	射频/微波设备类型：	DOWN CONVERTER
子类别：	RF/Microwave Up/Down Converters	最大压摆率：	200 mA
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

TRF1216IRGPR 数据手册

TRF1216

www.ti.com

SLWS172A–APRIL 2005–REVISED DECEMBER 2005

DOWNCONVERTER CHARACTERISTICS

Unless otherwise stated V_DD= 5 V, FRF = 3500 MHz, T_A= 25°C

PARAMETER

RF input frequency

LO input frequency

IF output frequency

Maximum gain

TEST CONDITIONS

MIN

3300

2800

400

TYP

MAX UNIT

F_RF

F_LO

F_IF

3800

3400

500

MHz

480

V_AGC= 0 V, RFATTN disabled, Measured into 100-Ω

differential load

∆

Analog gain control range

Switched attenuator range

V_AGCfrom 0 to 1.5 V, Any RFATTN setting. Measured

into 100-Ω differential load

AGC

∆

RFATTN from high-to-low, any VAGC setting.

Measured into 100-Ω differential load

8.5

11.5

ATTN

G_HG

G_NB

Gain flatness full band

Gain flatness / 6 MHz

Any 200-MHz band

Any 6-MHz band

0.4

V_AGC= 0 V, RFATTN disabled

V_AGC= 0 V, RFATTN enabled

V_AGC= 1.5 V, RFATTN disabled

V_AGC= 1.5 V, RFATTN enabled

V_AGC= 0 V, RFATTN disabled

V_AGC= 0 V, RFATTN enabled

V_AGC= 1.5 V, RFATTN disabled

V_AGC= 1.5 V, RFATTN enabled

V_AGC= 0 V, RFATTN disabled

V_AGC= 0 V, RFATTN enabled

V_AGC= 1.5 V, RFATTN disabled

V_AGC= 1.5 V, RFATTN enabled

Referenced to 100-Ω differential

LO input = 3 dBm, V_AGC= 0 V

F_RFF = 3300 to 3800 MHz, RFATTN = TTL High

2.5

4.8

3.2

6.8

–17

–6

Noise figure⁽¹⁾

IP-1dB

Input power at 1-dB compression

Input 3rd order intercept point

dBm

–10

–4

–7

-1

IIP3

P_LO

–5

LO input power

dBm

LO to MXRI leakage

LO to IF leakage

–35

–40

–45

–50

LNAO to RXI isolation

(1) Assured by lab characterization/design and not subject to production test.

1 2 345 6 7...13

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