Datasheet > TQ3001N7

TQ3001N7

更新时间： 2024-11-08 20:02:55

品牌	Logo	应用领域
超科 - SUPERTEX		输入元件开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	21K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 40V, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-14

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TQ3001N7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	IN-LINE, R-CDIP-T14
针数：	14	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.92
其他特性：	HIGH INPUT IMPEDANCE	配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.6 A
最大漏极电流 (ID)：	1.6 A	最大漏源导通电阻：	2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	50 pF
JESD-30 代码：	R-CDIP-T14	JESD-609代码：	e0
元件数量：	4	端子数量：	14
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	功耗环境最大值：	2 W
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TQ3001N7 数据手册

TQ3001

VQ3001

VQ7254

N- and P-Channel Quad Power

MOSFET Arrays

Ordering Information

V_{GS (th)}

(max)

R_{DS (ON)}

Order Number / Package

BV_DSS

BV_DGS

(max)

Q1 + Q2 or

Q3 + Q4

N-Channel

P-Channel

-3.0V

14-Pin P-Dip

14-Pin C-Dip*

40V

20V

3.0Ω

2.0V

1.6V

2.0V

VQ3001N6

—

TQ3001N7

—

-2.4V

-3.0V

VQ7254N6

* 14 pin side brazed ceramic DIP

High Reliability Devices

Advanced DMOS Technology

See pages 5-4 and 5-5 for MILITARY STANDARD Process

Flows and Ordering Information.

These enhancement-mode (normally-off) DMOS FET arrays

utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven

silicon-gate manufacturing process. This combination produces

devices with the power handling capabilities of bipolar transistors

and with the high input impedance and positive temperature

coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS

structures, these devices are free from thermal runaway and

thermally-induced secondary breakdown.

Features

■ Free from secondary breakdown

■ Low power drive requirement

■ Ease of paralleling

Supertex quad arrays use four independent DMOS transistors.

They are ideally suited to a wide range of switching and ampli-

fying applications where high breakdown voltage, high input im-

pedance, low input capacitance, and fast switching speeds are

desired.

■ Low C_ISSand fast switching speeds

■ Excellent thermal stability

■ Integral Source-Drain diode

■ High input impedance and high gain

■ Complementary N- and P-channel devices

■ Low threshold version available

Pin Configuration

Applications

■ Telecom switches

■ Photo voltaic drives

■ Soild state relays

■ Motor controls

D₁

S₁

D₄

S₄

■ Logic level interfaces

■ Battery operated systems

NQ₁

PQ₂

PQ₄

NQ₃

G₁

G₂

S₂

G₄

Absolute Maximum Ratings

Drain-to-Source Voltage

Drain-to-Gate Voltage

Gate-to-Source Voltage

10 G₃

BV_DSS

BV_DGS

± 30V

S₃

D₃

D₂

top view

14-pin DIP

Operating and Storage Temperature

-55°C to +150°C

300°C

Soldering Temperature*

* Distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.

9-23

12 3

中文翻译

下载PDF

与TQ3001N7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TQ3001NF	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 40V, 4-Element, N-Channel and P-Channel,
TQ3131	TRIQUINT	获取价格	3V Cellular Band CDMA/AMPS LNA IC
TQ3132	TRIQUINT	获取价格	Low Current, 3V Cellular Band CDMA/AMPS LNA IC
TQ3631	TRIQUINT	获取价格	3V PCS Band CDMA LNA IC
TQ3632	TRIQUINT	获取价格	Low Current, 3V PCS Band CDMA LNA IC
TQ3M31	TRIQUINT	获取价格	Dual Band LNA: 2.8V, Cellular and PCS Band CDMA/AMPS LNA IC
TQ4-12V	PANASONIC	获取价格	Power/Signal Relay, 4PDT, Momentary, 0.023A (Coil), 12VDC (Coil), 280mW (Coil), 1A (Contac
TQ4-12V-3	PANASONIC	获取价格	Power/Signal Relay, 4PDT, Momentary, 0.023A (Coil), 12VDC (Coil), 280mW (Coil), 1A (Contac
TQ4-24V	PANASONIC	获取价格	Power/Signal Relay, 4PDT, Momentary, 0.012A (Coil), 24VDC (Coil), 280mW (Coil), 1A (Contac
TQ4-24V-3	PANASONIC	获取价格	Power/Signal Relay, 4PDT, Momentary, 0.012A (Coil), 24VDC (Coil), 280mW (Coil), 1A (Contac

与TQ3001N7相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

19
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

16
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

39
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TQ3001N7

TQ3001N7 技术参数

TQ3001N7 数据手册

与TQ3001N7相关器件

与TQ3001N7相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TQ3001N7

TQ3001N7 技术参数

TQ3001N7 数据手册

与TQ3001N7相关器件

与TQ3001N7相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？