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TPW60R150C

更新时间： 2024-04-09 18:59:57

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无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		/
页数	文件大小	规格书
13页	1001K
描述
超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采用基于电荷平衡的器件结构，导通电阻明显下降。在应用中可减小系统功率损耗并提高其转换效率，目前国际上Infi

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TPW60R150C 数据手册

TPA60R150C,TPC60R150C,TPP60R150C,

TPR60R150C,TPV60R150C,TPW60R150C

Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd

Typical Characteristics T_J= 25ºC, unless otherwise noted

Figure 1. Output Characteristics

Figure 2. Transfer Characteristics

20V

10V

V_DS= 10V

T_J= 25ºC

T_J= 150ºC

10 12 14 16 18 20

V_DS, Drain-to-Source Voltage (V)

V_GS, Gate-to-Source Voltage (V)

Figure 3. On-Resistance vs. Drain Current

Figure 4. Capacitance

10⁵

10⁴

10³

0.18

0.16

0.14

0.12

0.1

V_GS= 10V

T_J= 25ºC

C_iss

C_oss

10²

10¹

10⁰

C_rss

V_GS= 0

f = 1MHz

I_D, Drain Current (A)

V_DS, Drain-to-Source Voltage (V)

Figure 5. Gate Charge

Figure 6. Body Diode Forward Voltage

10²

T_J= 150ºC

10¹

10⁰

V_DD= 120V

T_J= 25ºC

V_DD= 480V

10^-1

10^-2

10^-3

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

Q_g, Total Gate Charge (nC)

V_SD, Source-to-Drain Voltage (V)

V1.0

www.tsinghuaicwx.com

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