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TPW60R150C

更新时间： 2024-04-09 18:59:57

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无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		/
页数	文件大小	规格书
13页	1001K
描述
超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采用基于电荷平衡的器件结构，导通电阻明显下降。在应用中可减小系统功率损耗并提高其转换效率，目前国际上Infi

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TPW60R150C 数据手册

TPA60R150C,TPC60R150C,TPP60R150C,

TPR60R150C,TPV60R150C,TPW60R150C

Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd

Absolute Maximum Ratings T_C= 25ºC, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

I_D

Values

Unit

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Gate-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Repetitive Avalanche Energy

Avalanche Current

T_C= 25ºC

(note1)

I_D,pulse

V_GSS

E_AS

±30V

480

0.75

(note2)

E_AR

I_AR

Power Dissipation For TO-220F,TO-220FP-NL

P_D

Power Dissipation For TO-262,TO-220,TO-3PN,TO-247

151

Continuous Diode Forward Current

Diode Pulsed Current

I_S

(note1)

I_S,pulse

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55~+150

ºC

Thermal Resistance For TO-220F,TO-220FP-NL

Parameter

Symbol

R_thJC

Value

3.7

Unit

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

ºC/W

R_thJA

Thermal Resistance For TO-262,TO-220,TO-3PN,TO-247

Parameter

Symbol

Value

0.83

Unit

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

R_thJC

R_thJA

ºC/W

V1.0

www.tsinghuaicwx.com

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