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TPW2R508NH

更新时间: 2024-11-18 21:08:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 411K
描述
SMALL SIGNAL, FET

TPW2R508NH 技术参数

生命周期:Active包装说明:DSOP-8
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.74
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:75 V最大漏极电流 (ID):150 A
最大漏源导通电阻:0.0025 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):95 pFJESD-30 代码:S-PDSO-F5
元件数量:1端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

TPW2R508NH 数据手册

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TPW2R508NH  
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)  
TPW2R508NH  
1. Applications  
High-Efficiency DC-DC Converters  
Switching Voltage Regulators  
2. Features  
(1) High-speed switching  
(2) Small gate charge: QSW = 28 nC (typ.)  
(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.0 m(typ.) (VGS = 10 V)  
(4) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 75 V)  
(5) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)  
3. Packaging and Internal Circuit  
1, 2, 3: Source  
4: Gate  
5, 6, 7, 8: Drain  
DSOP Advance  
Start of commercial production  
2015-12  
©2016 Toshiba Corporation  
2016-03-16  
Rev.1.0  
1

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