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TPS7H3301HKR/EM

更新时间： 2024-11-30 11:13:19

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
31页	2138K
描述
Radiation-hardened QMLV, 2.3-V to 3.5-V input, 3-A sink and source DDR termination LDO regulator \| HKR \| 16 \| 25 to 25

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TPS7H3301HKR/EM 数据手册

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TPS7H3301-SP

ZHCSEJ1 –DECEMBER 2015

TPS7H3301-SP 内置 VREF 的灌电流/拉电流抗辐射加固型 3A DDR 终端

稳压器

1 特性

3 说明

•

QML V 类符合 5962-14228⁽¹⁾⁽²⁾

TPS7H3301-SP 是一款内置 VREF 的 TID 和单粒子效

应 (SEE) 抗辐射加固型双倍数据速率 (DDR) 3A 终端

稳压器。该稳压器专门用于为空间 DDR 终端应用

（如单电路板计算机、固态记录器和载荷处理应用）

提供一套完整的紧凑型、低噪声解决方案。

–

总电离剂量为 100krad (Si)

–

高剂量率 (HDR) (50-100 rad(Si)/s)

低剂量率 (LDR) (0.01 rad(Si)/s)

–

单粒子锁定 (SEL)、单粒子栅穿 (SEGR)、单粒

子烧毁 (SEB) 对于线性能量传输 (LET) 的抗扰

度 = 65MeV-cm²/mg

TPS7H3301-SP 支持并兼容 DDR、DDR2、DDR3、

DDR4 以及相关的低功耗 JEDEC 规范。凭借快速瞬态

响应，TPS7H3301-SP VTT 稳压器可在读取/写入状态

下提供稳定性较高的电源。TPS7H3301-SP 还包含一

个内置的 VREF 电源。该电源可跟踪 VTT 以进一步缩

减解决方案尺寸。在瞬态变化过程中，VREF 电源的快

速跟踪功能能够最大限度地降低 VTT 和 VREF 之间的

电压偏移。请参见说明（续）。

单粒子瞬变 (SET)、单粒子功能中断 (SEFI)、

单粒子翻转 (SEU) 的抗扰度为 65MeV-cm²/mg

（详细信息请参见辐射报告）

•

支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3LP 和 DDR4 终

端应用并兼容 JEDEC 标准

输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨⁽³⁾

•

独立低电压输入 (VLDOIN) 降至

0.9V 以改善电源效率⁽³⁾

器件信息⁽¹⁾⁽²⁾

封装

•

具有压降补偿功能的 3A 灌电流/拉电流终端稳压器

用于电源排序的使能输入和电源正常输出

VTT 终端稳压器

器件型号

封装尺寸（标称值）

TPS7H3301-SP

CFP (16)

9.60mm x 11.00mm

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

–

输出电压范围：0.5V 至 1.75V

3A 灌电流和拉电流

(2) 抗辐射加固保障 (RHA) 当前可达 100krad；详细信息请联系制

造商。

(3) 适用于 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 DDR 的标称输入电

压 = 3.3V。V_{INDDR1 的}为 2.95V 至 3.5V，所有 DDR 的 V_LDOIN

精度为 ±20mV

•

具有感测输入的精密集成分压器网络

远程感测 (VOSNS)

> V_TT

。

DDR2 3A 负载条件下的 Vin 为 2.45V 至 3.5V。

Vin 余量：V_{in_min}≥ V_TT+ 1.5V

VTTREF 缓冲参考输出

(4) 这些部件仅用于工程评估。以非合规性流程对其进行了处理

（即未进行老化处理等操作）并且仅在 25°C 的额定温度下进

行了测试。这些部件不适用于质检、生产、辐射测试或飞行。

这些零部件无法在 –55°C 至 125°C 的完整 MIL 额定温度范围

内或运行寿命中保证其性能。

–

精度为 VDDQ/2 ± 1%

±10mA 灌/拉电流

•

集成了内置软启动 (SS)、欠压锁定 (UVLO) 以及过

流限制 (OCL) 功能

标准 DDR 应用

TPS7H3301

VTTREF = VDDQSNS / 2

2 应用

VTTSNS

VTTREF

VDDQ

SNS

AGND

•

采用 DDR、DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 和

VTT / Vo = VDDQ / 2

AGND

VDDQ

VTT/Vo

VLDOIN

DDR4 存储器的单电路板计算机、固态记录器和载

荷应用

DDR œ 2.5 V

VTT/Vo

DDR2 œ 1.8 V

DDR3 œ 1.5 V

DDR3L œ 1.35 V

DDR4 œ 1.2 V

VLDOIN

•

超快速瞬态电源应用

POWER GOOD

PGOOD

PGND

支持军用温度范围（-55°C 至 125°C）

提供工程评估 (/EM) 组件⁽⁴⁾

3.3-V or 2.5-V

Supply

VDD/

Vin

ENABLE

PGND

AGND

PGND

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SLVSCJ5

12 3 4 5 6 7...31

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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TPS7H3302-SEP	TI	获取价格	耐辐射、2.3V 至 3.5V 输入、3A 灌电流和拉电流 DDR 终端 LDO 稳压器
TPS7H3302-SP	TI	获取价格	耐辐射、QMLP、2.3V 至 3.5V 输入、3A 灌电流和拉电流 DDR 端接 LDO
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TPS7H4002HKH/EM	TI	获取价格	耐辐射 QMLV、3V 至 5.5V 输入、3A 同步降压转换器 \| HKH \| 20 \|
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