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TPS7H3302-SP

更新时间: 2024-11-30 17:01:59
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 双倍数据速率稳压器
页数 文件大小 规格书
39页 2225K
描述
耐辐射、QMLP、2.3V 至 3.5V 输入、3A 灌电流和拉电流 DDR 端接 LDO 稳压器

TPS7H3302-SP 数据手册

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参考文献  
TPS7H3302-SP, TPS7H3302-SEP  
ZHCSRP2B FEBRUARY 2023 REVISED DECEMBER 2023  
TPS7H3302-SP TPS7H3302-SEP 3A DDR 耐辐射终端稳压器  
1 特性  
3 说明  
• 提QMLP TPS7H3302-SP 标准微电路图  
(SMD)5962R14228  
TPS7H3302 是一款具有内置 VTTREF 缓冲器的耐辐  
射双倍数据速率 (DDR) 3A 终端稳压器。该稳压器专门  
设计用于为单板计算机、固态记录器和有效载荷处理等  
航天 DDR 端接应用提供完整的紧凑型低噪声解决方  
案。  
• 提供增强型航天塑料封装供应商项目图VID  
V62/22615  
• 电离辐射总剂(TID) 特性  
– 耐辐射保(RHA)耐受高100krad(Si) 或  
50krad(Si) 的电离辐射总剂(TID)  
• 单粒子效(SEE) 特性  
TPS7H3302 支持使用 DDRDDR2DDR3DDR3L  
DDR4 DDR VTT 端接应用。凭借快速瞬态响  
TPS7H3302 VTT 稳压器可在读取/写入状态下提  
供非常稳定的电源。TPS7H3302 还包含一个用于跟踪  
VTT 的内置 VTTREF 电源以进一步减小解决方案尺  
寸。为了实现简单的电源时序TPS7H3302 中集成了  
使能输入和电源正常输出 (PGOOD)。使能信号还可用  
于在挂起RAM (S3) 断电模式时使VTT 放电。  
– 单粒子锁(SEL)、单粒子栅穿(SEGR)、单粒  
子烧(SEB) LET 的抗扰= 70MeV-  
cm2/mg  
– 单粒子瞬(SET)、单粒子功能中(SEFI) 和  
单粒子翻(SEU) 特性值高70MeVcm2/mg  
• 支DDRDDR2DDR3DDR3L DDR4 端  
接应用  
• 输入电压2.5V 3.3V 电源轨  
• 低至  
0.9V 的独立低压输(VLDOIN)可提高电源效率  
3A 灌电流和拉电流终端稳压器  
• 可实现电源时序的使能输入和电源正常输出  
VTT 终端稳压器  
器件信息  
等级  
器件型号(1)  
封装(2)  
HTSSOP (32)  
5962R1422802PYE  
QMLP-RHA  
6.10mm × 11.00mm  
= 0.184g  
TPS7H3302MDAPTSEP  
TPS7H3302EVM  
9 月  
EVM  
评估板  
(1) 有关更多信息请查Device Options 表。  
(2) 尺寸和质量值为标称值。  
– 输出电压范围0.5 1.75 V  
3A 灌电流和拉电流  
TPS7H3302  
VIN (2.5 V or 3.3 V supply)  
VDD  
VTTSNS  
• 具有检测输入的精密集成分压器网络  
• 遥(VTTSNS)  
VTTREF 缓冲基准  
VTT = VDDQ / 2  
VDDQ  
VDDQSNS  
VLDOIN  
EN  
VTT  
VTTREF  
PGOOD  
AGND  
VDDQ  
– 相对VDDQSNS (±3mA) 的精度49% 至  
VTTREF = VDDQSNS / 2  
DDR - 2.5 V  
DDR2 - 1.8 V  
DDR3 - 1.5 V  
DDR 3L - 1.375 V  
DDR4 - 1.2 V  
51%  
VDD  
±10mA 灌电流和拉电流  
• 集成了欠压锁(UVLO) 和过流限(OCL) 功能  
• 塑料封装  
ENABLE  
100 k  
PGND  
2 应用  
DDR 应用的简化版原理图  
卫星电力系(EPS)  
命令和数据处(C&DH)  
光学成像有效载荷  
雷达成像有效载荷  
本资源的原文使用英文撰写方便起见TI 提供了译文由于翻译过程中可能使用了自动化工具TI 不保证译文的准确性确认  
准确性请务必访ti.com 参考最新的英文版本控制文档。  
English Data Sheet: SLVSGX6  
 
 
 
 
 

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