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TPS59632QRHBTQ1 PDF预览

TPS59632QRHBTQ1

更新时间： 2024-11-24 11:13:55
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 驱动控制器开关驱动器
页数 文件大小 规格书
56页 2872K
描述
2.5V 至 24V、三相/两相/单相降压无驱动器控制器

| RHB | 32 | -40 to 125

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TPS59632QRHBTQ1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：VQFN-32
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.74其他特性：REQUIRE 3V TO 3.6V DIGITAL SUPPLY; PHASE SHIFT CONFIGURATION ALSO AVAILABLE
模拟集成电路 - 其他类型：SWITCHING CONTROLLER控制技术：PULSE WIDTH MODULATION
最大输入电压：5.5 V最小输入电压：4.5 V
标称输入电压：5 VJESD-30 代码：S-PQCC-N32
JESD-609代码：e3长度：5 mm
湿度敏感等级：2功能数量：1
端子数量：32最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电压：1.52 V
最小输出电压：0.5 V封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：HVQCCN封装等效代码：LCC32,.2SQ,20
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
筛选级别：AEC-Q100座面最大高度：1 mm
最大供电电流 (Isup)：6 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES切换器配置：BUCK
最大切换频率：1000 kHz温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
宽度：5 mmBase Number Matches：1

TPS59632QRHBTQ1 数据手册

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TPS59632-Q1  
ZHCSKX0 –FEBRUARY 2020  
适用于汽车 ADAS 应用的 TPS59632-Q1 2.5V 至 24V、三相/两相/单相降  
压无驱动器控制器  
1 特性  
2 应用  
1
•
符合面向汽车 应用的 AEC-Q100 标准  
•
•
•
高级驾驶辅助系统 (ADAS)  
条件式自动驱动控制器  
–
–
–
温度等级 1：–40°C 至 125°C  
人体放电模型 ESD 分类等级 H2  
带电器件模型 ESD 分类等级 C3B  
汽车信息娱乐系统和仪表组  
3 说明  
•
•
可选相位数：3、2 或 1  
TPS59632-Q1 器件是一款三相降压无驱动器控制器，  
具有许多高级 功能 ，例如具有输出电压过冲衰减  
(OSR) 和下冲衰减 (USR) 功能的 D-CAP+™控制架  
构，可实现极快的瞬态响应、超低的输出电容和高效  
率。该器件支持 I2C 接口，能够实现输出电压动态控  
制、可优化效率的相位管理以及电流监控器遥测。  
TPS59603-Q1 MOSFET 栅极驱动器专用于与此控制  
器配合工作，以驱动同步降压转换器功率级  
转换电压范围：2.5V 至 24V（相位数、开关频率和  
最大输出电压限制适用）  
•
•
•
7 位 DAC 电压范围：0.50V 至 1.52V  
支持预设引导，DAC 电压 0.800V  
精确、可调节的直流负载线（压降）或零斜率负载  
线
•
•
•
•
D-CAP+™控制，可实现快速瞬态响应  
已获专利的 AutoBalance™相位均衡技术  
8 种开关频率设置（300kHz 至 1MHz）  
MOSFET。TPS59632-Q1 器件采用节省空间的 5mm  
× 5mm、热增强型 32 引脚 QFN 封装（间距为  
0.5mm），额定工作温度范围为 –40°C 至 125°C。  
8 级独立的输出电压过冲衰减 (OSR) 和下冲衰减  
(USR)  
•
•
•
•
•
可选 8 级电流限制  
器件信息(1)  
负载电流监视器（模拟和数字）  
可选 8 级电压压摆率  
器件型号  
封装  
封装尺寸（标称值）  
TPS59632-Q1  
VQFN (32)  
5mm × 5mm  
优化了轻负载和重负载条件下的效率  
I2C 接口适用于 VID 控制、相位管理和遥测（具有  
8 个器件地址）  
•
采用 5mm x 5mm、32 引脚、间距为 0.5mm 的  
QFN 封装（具有电源板和可湿性侧面）  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
简化应用  
High-Side  
+
Low-Side  
MOSFETs  
TPS59603-Q1 Gate Drive  
TPS59632-Q1  
PWM1  
I2C BUS  
High-Side  
+
Low-Side  
MOSFETs  
PWM2  
VOUT  
TPS59603-Q1 Gate Drive  
PWM3  
SKIP  
High-Side  
+
Low-Side  
MOSFETs  
TPS59603-Q1 Gate Drive  
1
本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确  
性和有效性。 在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLUSDL4  
 
 
1234567...56

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