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TPS28226DRBRG4

更新时间： 2024-01-29 10:54:28

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德州仪器 - TI		驱动光电二极管接口集成电路驱动器
页数	文件大小	规格书
35页	1143K
描述
BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, 3 X 3 MM, GREEN, PLASTIC, DFN-8

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技术参数
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TPS28226DRBRG4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DFN
包装说明：	HVSON, SOLCC8,.12,25	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.36
高边驱动器：	YES	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：	S-PDSO-N8	JESD-609代码：	e4
长度：	3 mm	湿度敏感等级：	2
功能数量：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HVSON
封装等效代码：	SOLCC8,.12,25	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	7.2 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	子类别：	MOSFET Drivers
最大供电电压：	8 V	最小供电电压：	6.8 V
标称供电电压：	7.2 V	表面贴装：	YES
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	3 mm	Base Number Matches：	1

TPS28226DRBRG4 数据手册

TPS28226

www.ti.com

SLUS791–OCTOBER 2007

ELECTRICAL CHARACTERISTICS⁽¹⁾

V_DD= 7.2 V, EN/PG pulled up to V_DDby 100-kΩ resistor, T_A= T_J= –40°C to 125°C (unless otherwise noted)

PARAMETER

UNDER VOLTAGE LOCKOUT

TEST CONDITIONS

MIN

TYP MAX UNIT

Rising threshold

Falling threshold

Hysteresis

6.35 6.70

V_PWM= 0 V

4.7

5.0

1.00

1.35

BIAS CURRENTS

I_DD(off)Bias supply current

I_DDBias supply current

INPUT (PWM)

V_EN/PG= low, PWM pin floating

V_EN/PG= high, PWM pin floating

350

500

μA

V_PWM= 5 V

V_PWM= 0 V

185

–200

1.0

I_PWM

Input current

μA

PWM 3-state rising threshold⁽²⁾

PWM 3-state falling threshold

V_PWMPEAK = 5 V

3.4

3.8

4.0

2.1

t_{HLD_R}3-state shutdown Hold-off time

T_MINPWM minimum pulse to force U_GATEpulse

250

C_L= 3 nF at U_GATE, V_PWM= 5 V

ENABLE/POWER GOOD (EN/PG)

Enable high rising threshold

Enable low falling threshold

Hysteresis

PG FET OFF

1.7

1.0

0.8

0.35

0.70

Power good output

V_DD= 2.5 V

0.2

2.0

UPPER GATE DRIVER OUTPUT (UGATE)

Source resistance

500 mA source current

V_UGATE-PHASE= 2.5 V

C_L= 3 nF

1.0

2.0

(2)

Source current

t_RU

Rise time

Sink resistance

500 mA sink current

V_UGATE-PHASE= 2.5 V

C_L= 3 nF

1.0

2.0

(2)

Sink current

t_FU

Fall time

(1) Typical values for T_A= 25C

(2) Not tested in production

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Product Folder Link(s): TPS28226

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