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TPS28226DRBR

更新时间： 2024-01-01 18:41:49

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德州仪器 - TI		驱动器 MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
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35页	1135K
描述
High-Frequency 4-A Sink Synchronous MOSFET Drivers

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技术参数
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TPS28226DRBR 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.37
高边驱动器：	YES	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e4
长度：	4.89 mm	功能数量：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	最大供电电压：	8 V
最小供电电压：	6.8 V	标称供电电压：	7.2 V
表面贴装：	YES	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	3.9 mm	Base Number Matches：	1

TPS28226DRBR 数据手册

TPS28226

www.ti.com

SLUS791–OCTOBER 2007

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)

V_DD= 7.2 V, EN/PG pulled up to V_DDby 100-kΩ resistor, T_A= T_J= –40°C to 125°C (unless otherwise noted)

PARAMETER

LOWER GATE DRIVER OUTPUT (LGATE)

Source resistance

TEST CONDITIONS

MIN

TYP MAX UNIT

500 mA source current

1.0

2.0

0.4

4.0

2.0

1.0

Source current⁽³⁾

V_LGATE= 2.5 V

C_L= 3 nF

t_RL

Rise time⁽³⁾

Sink resistance

Sink current⁽³⁾

Fall time⁽³⁾

500 mA sink current

V_LGATE= 2.5 V

C_L= 3 nF

SWITCHING TIME

t_DLU

t_DLL

t_DTU

t_DTL

UGATE turn-off propagation Delay

C_L= 3 nF

LGATE turn-off propagation Delay

Dead time LGATE turn-off to UGATE turn-on

Dead time UGATE turn-off to LGATE turn-on

BOOTSTRAP DIODE

V_FForward voltage

Forward bias current 100 mA

1.0

THERMAL SHUTDOWN

Rising threshold⁽³⁾

Falling threshold⁽³⁾

Hysteresis

150

130

160

140

170

150

°C

(3) Not tested in production

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Product Folder Link(s): TPS28226

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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