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TPS2101DBVT PDF预览

TPS2101DBVT

更新时间： 2024-11-21 02:58:43
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 485K
描述
POWER-DISTRIBUTION SWITCHES

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TPS2101DBVT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：LSSOP, TSOP5/6,.11,37针数：5
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.14可调阈值：NO
模拟集成电路 - 其他类型：POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUITJESD-30 代码：R-PDSO-G5
JESD-609代码：e4长度：2.9 mm
湿度敏感等级：1信道数量：2
功能数量：1端子数量：5
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSSOP
封装等效代码：TSOP5/6,.11,37封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2.7/4 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm子类别：Power Management Circuits
最大供电电流 (Isup)：0.016 mA最大供电电压 (Vsup)：4 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.95 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：1.6 mm
Base Number Matches：1

TPS2101DBVT 数据手册

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TPS2100, TPS2101  
POWER-DISTRIBUTION SWITCHES  
V
AUX  
SLVS197D – JUNE 1999 – REVISED JUNE 2000  
features  
typical applications  
Dual-Input, Single-Output MOSFET Switch  
With No Reverse Current Flow (No Parasitic  
Diodes)  
Notebook and Desktop PCs  
Palmtops and PDAs  
IN1 . . . 250-mΩ, 500-mA N-Channel;  
16-µA Max Supply Current  
TPS2100  
IN1  
IN2 . . . 1.3-Ω, 10-mA P-Channel;  
Controller  
(CardBus,  
1394,  
PCI,  
et al.)  
1.5-µA Max Supply Current (V  
Mode)  
AUX  
3.3 V V  
CC  
3.3 V  
Advanced Switch Control Logic  
IN2  
3.3 V V  
AUX  
CMOS- and TTL-Compatible Enable Input  
Controlled Rise, Fall, and Transition Times  
2.7-V to 4 V Operating Range  
EN  
D3 or PME Status  
Control Signal  
Hold-Up  
Capacitor  
SOT-23-5 and SOIC-8 Package  
–40°C to 70°C Ambient Temperature Range  
Figure 1. Typical Dual-Input Single-Output  
Application  
2-kV Human-Body-Model, 750-V CDM,  
200-V Machine-Model Electrostatic-  
Discharge Protection  
description  
The TPS2100 and TPS2101 are dual-input, single-output power switches designed to provide uninterrupted  
output voltage when transitioning between two independent power supplies. Both devices combine one  
n-channel (250 mΩ) and one p-channel (1.3 Ω) MOSFET with a single output. The p-channel MOSFET (IN2)  
is used with auxiliary power supplies that deliver lower current for standby modes. The n-channel MOSFET  
(IN1) is used with a main power supply that delivers higher current required for normal operation. Low  
on-resistance makes the n-channel the ideal path for higher main supply current when power-supply regulation  
and system voltage drops are critical. When using the p-channel MOSFET, quiescent current is reduced to  
0.75 µA to decrease the demand on the standby power supply. The MOSFETs in the TPS2100 and TPS2101  
do not have the parasitic diodes, found in discrete MOSFETs, which allow the devices to prevent back-flow  
current when the switch is off.  
TPS2100  
D PACKAGE  
(TOP VIEW)  
(TOP VIEW)  
DBV PACKAGE  
PCI Bus  
V
3.3 V  
AUX  
IN2  
GND  
EN  
OUT  
OUT  
NC  
1
2
3
4
8
7
6
5
IN1  
1
2
3
5
4
EN  
GND  
IN2  
OUT  
NC  
IN1  
VGA  
TPS210x  
D3-STAT  
TPS2101  
V
CC  
D PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DBV PACKAGE  
(TOP VIEW)  
PCI12xx / PCI14xx  
CardBus Controller  
IN2  
GND  
EN  
OUT  
OUT  
NC  
1
2
3
4
8
7
6
5
EN  
GND  
IN2  
IN1  
1
2
3
5
4
Figure 2. V  
CardBus Implementation  
AUX  
OUT  
NC  
IN1  
NC – No internal connection  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
Copyright 2000, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
1234567...20

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TPS2101DBVT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TPS2101DBVR TI

完全替代

 使能端高电平有效、具有补偿温度功能的 2.7V 至 4V、250mΩ、0.5A、1.3Ω、

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