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TPN30008NH

更新时间： 2024-02-22 19:31:22

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东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	228K
描述
TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal

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TPN30008NH 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	80 V
最大漏极电流 (ID)：	22 A	最大漏源导通电阻：	0.03 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	50 pF
JESD-30 代码：	S-PDSO-F5	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPN30008NH 数据手册

TPN30008NH

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)

TPN30008NH

1. Applications

•

DC-DC Converters

Switching Voltage Regulators

Motor Drivers

2. Features

(1) Small, thin package

(2) High-speed switching

(3) Small gate charge: QSW = 4.1 nC (typ.)

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 25 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(5) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 80 V)

(6) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1, 2, 3: Source

4: Gate

5, 6, 7, 8: Drain

TSON Advance

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25  unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

VDSS

VGSS

±20

(Silicon limit)

(Tc = 25 )

(t = 1 ms)

(Note 1), (Note 2)

(Note 1)

9.6

(Note 1)

IDP

(Tc = 25 )

(t = 10 s)

(Note 3)

(Note 4)

(Note 5)

1.9

(t = 10 s)

0.7

Single-pulse avalanche energy

Avalanche current

EAS

IAR

Tch

Tstg

9.6

Channel temperature

Storage temperature

150

-55 to 150



Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2012-08-31

Rev.2.0

12 3 4 5 6 7...9

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