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TPA6132A2RTET

更新时间： 2024-01-14 03:32:42
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 消费电路商用集成电路音频放大器视频放大器PC
页数 文件大小 规格书
22页 1002K
描述
25-mW DIRECTPATH™ STEREO HEADPHONE AMPLIFIER WITH POP SUPPRESSION

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TPA6132A2RTET 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：QFN
包装说明：QFN-16针数：16
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.95Samacsys Confidence：
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：607601
Samacsys Pin Count：17Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：QFN50P300X300X80-16N
Samacsys Released Date：2017-01-12 12:59:53Is Samacsys：N
标称带宽：20 kHz商用集成电路类型：AUDIO AMPLIFIER
增益：6 dB谐波失真：1%
JESD-30 代码：S-PQCC-N16JESD-609代码：e4
长度：3 mm湿度敏感等级：2
信道数量：2功能数量：1
端子数量：16最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C标称输出功率：0.025 W
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVQCCN
封装等效代码：LCC16,.12SQ,20封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3.6 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.8 mm子类别：Audio/Video Amplifiers
最大压摆率：3.2 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V表面贴装：YES
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：3 mmBase Number Matches：1

TPA6132A2RTET 数据手册

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TPA6132A2  
www.ti.com ........................................................................................................................................................................................... SLOS597–DECEMBER 2008  
DISSIPATION RATINGS TABLE  
T
A ≤ 25°C  
TA = 70°C  
POWER RATING  
TA = 85°C  
POWER RATING  
(1)  
PACKAGE  
DERATING FACTOR  
POWER RATING  
RTE (QFN)  
2050 mW  
48.7 °C/W  
1130 mW  
821 mW  
(1) See JEDEC Standard 51-3 for Low-K board, JEDEC Standard 51-7 for High-K board, and JEDEC Standard 51-12 for using package  
thermal information. See JEDEC document page for downloadable copies: http://www.jedec.org/download/default.cfm.  
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS  
MIN  
2.3  
MAX  
UNIT  
V
Supply voltage, VDD  
5.5  
VIH  
VIL  
High-level input voltage; EN, G0, G1  
Low-level input voltage; EN, G0, G1  
Voltage applied to Output; OUTR, OUTL (when EN = 0 V)  
Operating free-air temperature  
1.3  
V
0.6  
3.6  
85  
V
–0.3  
–40  
V
TA  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
TA = 25°C (unless otherwise noted)  
PARAMETER  
Output offset voltage  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
mV  
dB  
–0.5  
0.5  
Power supply rejection ratio  
VDD = 2.3 V to 5.5 V  
100  
High-level output current (EN, G0, G1)  
Low-level output current (EN, G0, G1)  
1
1
µA  
µA  
VDD = 2.3 V, No load, EN = VDD  
VDD = 3.6 V, No load, EN = VDD  
VDD = 5.5 V, No load, EN = VDD  
EN = 0 V, VDD = 2.3 V to 5.5 V  
2.1  
2.1  
2.2  
0.7  
3.1  
3.1  
3.2  
1.2  
mA  
µA  
Supply Current  
Copyright © 2008, Texas Instruments Incorporated  
5
Product Folder Link(s) :TPA6132A2  
12345678...22

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