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TPA60R530M

更新时间: 2024-04-09 18:59:24
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无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP 电子
页数 文件大小 规格书
12页 829K
描述
Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction MOSFET)是种新型功率器件,无锡紫光微电子限公司在国内率先推出成熟的Multi-EPI超结功率MOSF

TPA60R530M 数据手册

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TPA60R530M,TPD60R530M,TPR60R530M,TPU60R530M  
Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd  
Typical Characteristics TJ = 25ºC, unless otherwise noted  
Figure 13. Typ. Coss Stored Energy  
3.5  
3
2.5  
2
1.5  
1
0.5  
0
0
100  
200  
300  
400  
500  
600  
VDS, Drain-Source Voltage(V)  
V1.0  
6
www.tsinghuaicwx.com  

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