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TP7L20

更新时间： 2024-10-31 23:37:11
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 339K
描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 200V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-225VAR

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SHINDENGEN  
DarlingtonTransistor  
OUTLINE DIMENSIONS  
Case : ITO-220  
2SD1792  
(TP7L20)  
Unit : mm  
7A NPN  
RATINGS  
œAbsolute Maximum Ratings  
Item  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
-55`+150  
Unit  
Storage Temperature  
Tstg  
Tj  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ž
Ž
V
V
V
Junction Temperature  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current DC  
+150  
200  
200  
7
7
A
Collector Current Peak  
Base Current DC  
ICP  
IB  
10  
0.5  
A
A
Base Current Peak  
IBP  
1.0  
A
Total Transistor Dissipation  
Dielectric Strength  
PT  
Vdis  
TOR  
Tc = 25Ž  
30  
2
0.5  
W
kV  
N¥m  
Terminals to case AC 1 minute  
(Recommended torque : 0.3N¥mj  
Mounting Torque  
œElectrical Characteristics (Tc=25Ž)  
Item  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
VCB = 200V  
Ratings  
Max 0.1  
Max 0.1  
Max 5  
Unit  
mA  
Collector Cutoff Current  
ICEO  
VCE = 200V  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
IEBO  
VEB = 7V  
mA  
hFE  
VCE = 3V, IC = 3A  
Min 1,500  
Max 30,000  
Max 1.5  
Max 2.0  
Max 4.16  
TYP 20  
Collector to Emitter Saturation Voltage  
Base to Emitter Saturation Voltage  
Thermal Resistance  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Æjc  
IC = 3A  
V
V
IB = 5mA  
Junction to case  
VCE = 10V, IC = 0.7A  
Ž/W  
MHz  
Transition Frequency  
fT  
Turn on Time  
ton  
Max 2  
IC = 3A  
Storage Time  
Fall Time  
ts  
tf  
IB1 = IB2 = 5mA  
RL = 10  
VBB2 = 4V  
Max 12  
Max 5  
Ês  
1234567...9

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