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TP3012

更新时间: 2024-01-16 13:01:44
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 170K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 3A I(C) | SOT-171

TP3012 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.32其他特性:DIFFUSED BALLAST RESISTORS
最大集电极电流 (IC):3 A基于收集器的最大容量:30 pF
集电极-发射极最大电压:17 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):15最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F6元件数量:1
端子数量:6最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:40 W最小功率增益 (Gp):8 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

TP3012 数据手册

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