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TP2424N8-G PDF预览

TP2424N8-G

更新时间： 2024-11-19 15:54:55
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 521K
描述
0.316A, 240V, 8ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-243AA

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TP2424N8-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：GREEN PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：5.32
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, LOW THRESHOLD外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：240 V
最大漏极电流 (ID)：0.316 A最大漏源导通电阻：8 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-243AA
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：1.9 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TP2424N8-G 数据手册

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TP2424  
Supertex inc.  
P-Channel Enhancement-Mode  
Vertical DMOS FET  
Features  
General Description  
► Low threshold  
This low threshold enhancement-mode (normally-off)  
transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s  
well-proven silicon-gate manufacturing process. This  
combination produces a device with the power handling  
capabilities of bipolar transistors and with the high input  
impedance and positive temperature coefficient inherent  
in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this  
device is free from thermal runaway and thermally-induced  
secondary breakdown.  
► High input impedance  
► Low input capacitance  
► Fast switching speeds  
► Free from secondary breakdown  
► Low input and output leakage  
Applications  
► Logic level interfaces  
► Solid state relays  
► Linear amplifiers  
► Power management  
► Analog switches  
► Telecom switches  
Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide  
range of switching and amplifying applications where very  
low threshold voltage, high breakdown voltage, high input  
impedance, low input capacitance, and fast switching speeds  
are desired.  
Ordering Information  
Product Summary  
RDS(ON)  
Part Number  
Package Option  
Packing  
VGS(th)  
(max)  
ID(ON)  
(min)  
BVDSS/BVDGS  
(max)  
TP2424N8-G  
TO-243AA (SOT-89)  
2000/Reel  
-G denotes a lead (Pb)-free / RoHS compliant package.  
Contact factory for Wafer / Die availablity.  
-240V  
8.0Ω  
-2.4V  
-800mA  
Devices in Wafer / Die form are lead (Pb)-free / RoHS compliant.  
Pin Configuration  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
DRAIN  
Value  
BVDSS  
BVDGS  
±20V  
Drain-to-source voltage  
Drain-to-gate voltage  
SOURCE  
Gate-to-source voltage  
DRAIN  
GATE  
Operating and storage temperature  
-55OC to +150OC  
Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device  
may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous  
operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All  
voltages are referenced to device ground.  
TO-243AA (SOT-89)  
Product Marking  
Typical Thermal Resistance  
W = Code for week sealed  
= “Green” Packaging  
TP4CW  
Package  
θja  
TO-243AA (SOT-89)  
133OC/W  
Package may or may not include the following marks: Si or  
TO-243AA (SOT-89)  
Doc.# DSFP-TP2424  
B081313  
Supertex inc.  
www.supertex.com  
123

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TP2424N8-G 替代型号

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