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TP0610K-T1

更新时间： 2024-09-28 15:54:55

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威世 - VISHAY		/
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8页	208K
描述
Transistor

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TP0610K-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.185 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

TP0610K-T1 数据手册

TP0610K

Vishay Siliconix

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)()

V_GS(th)(V)

I_D(mA)

Definition

•

TrenchFET^®Power MOSFET

High-Side Switching

Low On-Resistance: 6 

Low Threshold: - 2 V (typ.)

Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.)

Low Input Capacitance: 20 pF (typ.)

2000 V ESD Protection

- 60

6 at V_GS= - 10 V

- 1 to - 3

- 185

TO-236

(SOT-23)

Marking Code: 6Kwll

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

6K = Part Number Code for TP0610K

w = Week Code

ll = Lot Traceability

APPLICATIONS

•

Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Display,

Memories, Transistors, etc.

•

Battery Operated Systems

Power Supply Converter Circuits

Solid-State Relays

Top View

Ordering Information: TP0610K-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

TP0610K-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

BENEFITS

•

Ease in Driving Switches

Low Offset (Error) Voltage

Low-Voltage Operation

High-Speed Circuits

Easily Driven without Buffer

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

- 60

Unit

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

T_A= 25 °C

- 185

- 115

- 800

350

Continuous Drain Current^a

Pulsed Drain Current^b

I_D

T_A= 100 °C

I_DM

P_D

T_A= 25 °C

Power Dissipation^a

T_A= 100 °C

140

Maximum Junction-to-Ambient^a

350

°C/W

R_thJA

T_J,T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

Notes:

a. Surface mounted on FR4 board.

b. Pulse width limited by maximum junction temperature.

Document Number: 71411

S10-1476-Rev. H, 05-Jul-10

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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TP0610K-T1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
TP0610K-T1-GE3	VISHAY	完全替代	TRANSISTOR 185 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, HALOGEN FREE AND ROH
VP0610T	VISHAY	完全替代	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
TP0610KL-TR1-E3	VISHAY	功能相似	MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3

与TP0610K-T1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TP0610K-T1-E3	VISHAY	获取价格	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET
TP0610K-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 185 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, HALOGEN FREE AND ROH
TP0610L	VISHAY	获取价格	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
TP0610L18	VISHAY	获取价格	180mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA
TP0610L-18	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP0610L-18	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP0610L18-2	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP0610L-1TA	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP0610L-1TR1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP0610L-2TA	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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