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TND027MP-AZ PDF预览

TND027MP-AZ

更新时间： 2024-11-01 21:12:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 驱动接口集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 229K
描述
Excellent Power Device, Lowside Power Switch Lamp / Solenoid / Motor Driving, Single MP, TO-92 3 8.5x6.0 / MP, 1000-REEL

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TND027MP-AZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.4接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
端子面层：Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)Base Number Matches：1

TND027MP-AZ 数据手册

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TND027MP  
Excellent Power Device  
Lowside Power Switch Lamp /  
Solenoid / Motor Driving, Single MP  
www.onsemi.com  
Features  
MARKING  
N-Channel MOSFET Built in  
Overheat Protection (Self Recovery Type)  
Overcurrent Protection (Self Recovery Type Current Limiting Function)  
Overvoltage Protection  
SPECIFICATIONS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING at Ta = 25C (Note 1)  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Output Current (DC)  
Input Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
V
60  
DS  
1 : GND  
2 : OUT  
3 : IN  
I
1.5  
A
O
V
P
V
0.3 to +10  
1.0  
V
IN  
D
Power Dissipation  
W
V
Operating Supply Voltage  
Operating Temperature  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
(opr)  
40  
1
2
3
DS  
Topr  
Tj  
40 to +85  
150  
C  
C  
C  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping  
information on page 5 of this data sheet.  
Tstg  
55 to +150  
Note 1 : Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage  
the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not  
be assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
BLOCK DIAGRAM  
OUT(D)  
Overcurrent  
protective  
circuit  
Overvoltage  
protective circuit  
Output current  
control  
IN  
Gate  
shutdown  
circuit  
Overheat  
protective  
circuit  
ESD  
protective  
circuit  
GND(S)  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
October 2015 - Rev. 2  
1
Publication Order Number :  
TND027MP/D  
12345

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