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TN4003PM

更新时间： 2024-11-24 21:14:51

品牌	Logo	应用领域
APITECH		射频微波
页数	文件大小	规格书
1页	217K
描述
Wide Band Low Power Amplifier, 10MHz Min, 500MHz Max, SM3, 4 PIN

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TN4003PM 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.14	其他特性：	I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM
构造：	COMPONENT	增益：	19 dB
最大输入功率 (CW)：	10 dBm	最大工作频率：	500 MHz
最小工作频率：	10 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-55 °C	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
最大电压驻波比：	1.75	Base Number Matches：	1

TN4003PM 数据手册

Available as: TM4003PM, 4 Pin TO-8 (T4)

TN4003PM, 4 Pin Surface Mount (SM3)

RFAMPLIFIER

BX4003PM, Connectorized Housing (H1)

MODEL TM4003PM

Features

Typical Intermodulation Performance at 25 ºC

Second Order Harmonic Intercept Point ....... +51 dBm (Typ.)

Second Order Two Tone Intercept Point ........ +45 dBm (Typ.)

Third Order TwoTone Intercept Point ............ +35 dBm (Typ.)

ꢀ

High Gain: 20 dB Typical

ꢀ Output Power: +19.5 dBm Typical

Low +7 Volt Supply

ꢀ

Operating Temp. -55 ºC to +85 ºC

ꢀ

Absolute Maximum (No Damage) Ratings

Ambient OperatingTemperature ................-55ºC to +100 ºC

StorageTemperature .................................-62ºC to +125 ºC

CaseTemperature ..................................................+125 ºC

DCVoltage ........................................................... +8 Volts

Continuous RF Input Power .................................. +10 dBm

ShortTerm RF Input Power.... 200 Milliwatts (1 Minute Max.)

Maximum Peak Power .................... 0.5 Watt (3 µsec Max.)

Specifications

CHARACTERISTIC

TYPICAL

Ta= 25 ºC

10 - 500 MHz

MIN/MAX

Ta = -55 ºC to +85 ºC

10 - 500 MHz

Frequency

Gain (dB)

+20

+19 Min.

Power @ 1 dB

Comp. (dBm)

Reverse

+19.5

-23

+18.5 Min.

-22 Max.

Guaranteed @ 25 ºC (320 MHz) Phase Noise Performance (dBc/Hz)*

Isolation (dB)

Frequency

100 Hz

Typical

152

Guarantee (min.)

150

VSWR

1.4:1

1.3:1

4.0

1.75:1 Max.

5.0 Max.

Out

1 kHz

162

170

160

165

Noise Figure (dB)

10 kHz

100 kHz

1 MHz

Power

Vdc

85 Max.

*Note: Phase Noise Performance typically tested at midband.

Bandedge performance may vary.

Note: Care should always be taken to effectively ground the case of each unit.

Typical Performance Data

Residual Phase Noise Test Conditions:

Carrier Frequency: 320 MHz

Power Output +19 dBm

Temperature: 25 ^oC

Agilent ES5500 System

Legend

+25 ºC

+85 ºC - - - - - - -55 ºC

Rev.

Spectrum Microwave · 2144 Franklin Drive N.E. · Palm Bay, Florida 32905 · PH (888) 553-7531 · Fax (888) 553-7532

8/16/10

Spectrum Microwave · 2707 Black Lake Place · Philadelphia, Pennsylvania 19154 · PH (215) 464-4000 · Fax (215) 464-4001

www.SpectrumMicrowave.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TN400A	TOPSTEK	获取价格	Topstek Current Transducers
TN4012	APITECH	获取价格	RF AMPLIFIER MODEL
TN4012L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 160MA I(D) \| TO-226AA
TN4012L-1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
TN4012L-1-18	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
TN4012L18	VISHAY	获取价格	160mA, 400V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA
TN4012L-18	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
TN4012L18-1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
TN4012L18-2	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
TN4012L-1TA	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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