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TN3725A

更新时间： 2024-11-19 22:19:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 183K
描述
NPN Switching Transistor

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TN3725A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.82Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JEDEC-95代码：TO-226JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：60 ns最大开启时间（吨）：35 ns
Base Number Matches：1

TN3725A 数据手册

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Discrete POWER & Signal  
Technologies  
MMPQ3725  
TN3725A  
B
E
B
E
B
E
B
E
C
C
C
C
C
C
TO-226  
C
C
C
B
SOIC-16  
E
NPN Switching Transistor  
This device is designed for high speed core driver applications  
up to collector currents of 1.0 A. Sourced from Process 25.  
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
40  
60  
V
V
6.0  
1.2  
V
Collector Current - Continuous  
A
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
TN3725A  
MMPQ3725  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
1.0  
8.0  
50  
1.0  
8.0  
W
mW/°C  
°C/W  
Rθ  
JC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Effective 4 Die  
125  
Rθ  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
JA  
125  
240  
Each Die  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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