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TMS28F400AMB70CDBJE

更新时间: 2024-09-25 20:22:35
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
77页 3591K
描述
512KX8 FLASH 12V PROM, 130ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44

TMS28F400AMB70CDBJE 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:PLASTIC, SOP-44
针数:44Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.91Is Samacsys:N
最长访问时间:130 ns其他特性:CAN BE CONFG AS 256K X 16; BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度:8启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES数据轮询:NO
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:28.2 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1部门数/规模:1,2,1,3
端子数量:44字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP44,.63封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3/5 V
编程电压:12 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.63 mm部门规模:16K,8K,96K,128K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.065 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:NO
类型:NOR TYPE宽度:13.3 mm
Base Number Matches:1

TMS28F400AMB70CDBJE 数据手册

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