是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TSOP1, TSOP32,.8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.73 | 最长访问时间: | 100 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
长度: | 18.415 mm | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSOP32,.8 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 12 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TMS28F020-10C4DDL | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM | |
TMS28F020-10C4DDL4 | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM | |
TMS28F020-10C4DDQ | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM | |
TMS28F020-10C4DDQ4 | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM | |
TMS28F020-10C4FME | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM | |
TMS28F020-10C4FME4 | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM | |
TMS28F020-10C4FML | TI |
获取价格 |
256KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PQCC32, 1.25 MM PITCH, PLASTIC, LCC-32 | |
TMS28F020-10C4FML4 | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM | |
TMS28F020-10C4FMQ | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM | |
TMS28F020-10C4FMQ4 | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |