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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| 基于收集器的最大容量： | 6 pF | 集电极-发射极最大电压： | 150 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TMPT5550 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| TMPT5550R | VISHAY |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AA, TO-236AA, 3 PIN |
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| TMPT5550R | ALLEGRO |
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Small Signal Bipolar Transistor, NPN |
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| TMPT5551 | ALLEGRO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), NPN |
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| TMPT5551R | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AA, TO-236AA, 3 PIN |
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| TMPT6427 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AA, TO-236AA, 3 PIN |
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| TMPT6427LK | ALLEGRO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB |
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| TMPT6427LO | ALLEGRO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB |
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| TMPT6427LT | ALLEGRO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB |
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| TMPT6427LX | ALLEGRO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB |
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