TMMBAT46

更新时间： 2024-02-19 12:57:39

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		整流二极管小信号肖特基二极管
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描述
SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE

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TMMBAT46 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	MELF	包装说明：	GLASS, MINIMELF-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	1.27
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	0.75 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.15 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向电流：	5 µA	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

TMMBAT46 数据手册

TMMBAT 46

SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE

MINIMELF

(Glass)

DESCRIPTION

General purpose, metal to silicon diode featuring

high breakdown voltage low turn-on voltage.

ABSOLUTE RATINGS (limiting values)

Symbol

V_RRM

I_F

Parameter

Repetitive Peak Reverse Voltage

Value

100

Unit

Forward Continuous Current

150

T = 25 C

t_p1s

350

≤

I_FRM

Repetitive Peak Fordware Current

0.5

δ ≤

t_p= 10ms

T = 80 C

I_FSM

P_tot

Surge non Repetitive Forward Current

Power Dissipation

750

150

T_stg

T_j

Storage and Junction Temperature Range

- 65 to + 150

- 65 to + 125

T_L

Maximum Temperature for Soldering during 15s

260

THERMAL RESISTANCE

Symbol

Test Conditions

Value

Unit

C/W

R_th(j-l)

Junction-leads

300

August 1999 Ed: 1A

1/4

12 3 4

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