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TMM23256P

更新时间: 2024-11-20 03:27:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 有原始数据的样本ROM
页数 文件大小 规格书
6页 253K
描述
256K BIT(32K WORD x 8 BIT) MASK ROM N-CHANNEL SILICON GATE

TMM23256P 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:150 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T28
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:MASK ROM内存宽度:8
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE电源:5 V
认证状态:Not Qualified子类别:MASK ROMs
最大压摆率:0.04 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL

TMM23256P 数据手册

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