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TM497FBK32R-50

更新时间: 2024-01-23 15:02:45
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 168K
描述
4MX32 EDO DRAM MODULE, 50ns, SMA72, SIMM-72

TM497FBK32R-50 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:SIMM, SSIM72针数:72
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:50 ns
其他特性:RAS ONLY, CAS BEFORE RAS, HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XSMA-N72内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:72字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:SIMM
封装等效代码:SSIM72封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
座面最大高度:25.527 mm自我刷新:NO
最大待机电流:0.008 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.96 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

TM497FBK32R-50 数据手册

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TM497FBK32, TM497FBK32S 4194304 BY 32-BIT  
TM893GBK32, TM893GBK32S 8388608 BY 32-BIT  
EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RAM MODULES  
SMMS668 – NOVEMBER 1996  
refresh  
The refresh period is extended to 32 ms and, during this period, each of the 2 048 rows must be strobed with  
RAS in order to retain data. CAS can remain high during the refresh sequence to conserve power.  
power up  
To achieve proper operation, an initial pause of 200 µs followed by a minimum of eight initialization cycles is  
required after full V  
(RAS-only or CBR) cycle.  
level is achieved. These eight initialization cycles need to include at least one refresh  
CC  
2
POST OFFICE BOX 1443 HOUSTON, TEXAS 77251–1443  

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