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TM4100EAD9-80

更新时间: 2024-01-12 21:17:57
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罗彻斯特 - ROCHESTER 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 792K
描述
4MX9 FAST PAGE DRAM MODULE, 80ns, SMA30, SIMM-30

TM4100EAD9-80 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:SIMM, SIM30针数:30
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.6访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:80 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XSMA-N30
内存密度:37748736 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度:9功能数量:1
端口数量:1端子数量:30
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX9
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:SIMM封装等效代码:SIM30
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:20.447 mm
自我刷新:YES最大待机电流:0.009 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.72 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:2.54 mm
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

TM4100EAD9-80 数据手册

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