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TM2EP72DPN-50 PDF预览

TM2EP72DPN-50

更新时间： 2024-02-03 21:19:02
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 322K
描述
2MX72 EDO DRAM MODULE, 13ns, DMA168, DIMM-168

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TM2EP72DPN-50 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：DIMM, DIMM168针数：168
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.24风险等级：5.84
访问模式：SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间：13 ns
其他特性：CAS BEFORE RAS REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N168内存密度：150994944 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM MODULE内存宽度：72
功能数量：1端口数量：1
端子数量：168字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2MX72输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM168封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：2048
最大待机电流：0.009 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.99 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：MOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

TM2EP72DPN-50 数据手册

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TM2EP64DPN, TM2EP64DJN, TM4EP64DPN, TM4EP64DJN  
TM2EP72DPN, TM2EP72DJN, TM4EP72DPN, TM4EP72DJN  
EXTENDED-DATA-OUT DYNAMIC RAM MODULES  
SMMS684A – AUGUST 1997 – REVISED FEBRUARY 1998  
electrical characteristics over recommended ranges of supply voltage and ambient temperature  
(unless otherwise noted)  
TM2EP64DxN  
’2EP64DxN-50  
’2EP64DxN-60  
’2EP64DxN-70  
†
PARAMETER  
UNIT  
TEST CONDITIONS  
= – 2 mA  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
High-level  
output  
voltage  
I
I
I
I
LVTTL  
2.4  
2.4  
2.4  
OH  
OH  
OL  
OL  
V
V
V
OH  
= – 100 µA  
= 2 mA  
LVCMOS  
LVTTL  
V
–0.2  
V
–0.2  
V
–0.2  
DD  
DD  
DD  
Low-level  
output  
voltage  
0.4  
0.2  
0.4  
0.2  
0.4  
0.2  
V
OL  
= 100 µA  
LVCMOS  
Input current  
(leakage)  
V
= 3.6 V,  
V = 0 V to 3.9 V,  
DD  
All others = 0 V to V  
I
I
I
± 10  
± 10  
± 10  
± 10  
± 10  
± 10  
µA  
µA  
I
DD  
Output  
current  
(leakage)  
V
= 3.6 V,  
V
= 0 V to V ,  
DD  
DD  
CASx high  
O
O
Read- or  
write-cycle  
current  
‡§  
I
V
V
= 3.6 V,  
Minimum cycle  
960  
16  
800  
16  
720  
16  
mA  
mA  
CC1  
DD  
= 2 V (LVTTL),  
IH  
After one memory cycle,  
RASx and CASx high  
Standby  
current  
I
CC2  
V
= V  
– 0.2 V  
DD  
IH  
(LVCMOS),  
8
8
8
mA  
After one memory cycle,  
RASx and CASx high  
Average  
refresh  
current  
V
= 3.6 V,  
Minimum cycle,  
DD  
RASx cycling,  
‡§  
‡¶  
I
I
960  
880  
800  
720  
720  
640  
mA  
mA  
CC3  
(RAS-only  
refresh  
or CBR)  
CASx high (RAS-only refresh),  
RASx low after CASx low (CBR)  
Average  
EDO current  
V
= 3.6 V,  
t
= MIN,  
DD  
RASx low,  
HPC  
CASx cycling  
CC4  
†
For conditions shown as MIN/MAX, use the appropriate value specified in the timing requirements.  
Measured with outputs open  
‡
§
Measured with a maximum of one address change while RASx = V  
IL  
Measured with a maximum of one address change during each EDO cycle, t  
HPC  
8
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251–1443  
1...567891011...22

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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