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TM2EP72DPN-50

更新时间: 2024-02-07 16:03:45
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 322K
描述
2MX72 EDO DRAM MODULE, 13ns, DMA168, DIMM-168

TM2EP72DPN-50 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM, DIMM168针数:168
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24风险等级:5.84
访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间:13 ns
其他特性:CAS BEFORE RAS REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N168内存密度:150994944 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:72
功能数量:1端口数量:1
端子数量:168字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX72输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM168封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
最大待机电流:0.009 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.99 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

TM2EP72DPN-50 数据手册

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TM2EP64DPN, TM2EP64DJN, TM4EP64DPN, TM4EP64DJN  
TM2EP72DPN, TM2EP72DJN, TM4EP72DPN, TM4EP72DJN  
EXTENDED-DATA-OUT DYNAMIC RAM MODULES  
SMMS684A – AUGUST 1997 – REVISED FEBRUARY 1998  
MECHANICAL DATA  
BR (R-PDIM-N168)  
DUAL IN-LINE MEMORY MODULE  
5.255 (133,48)  
5.245 (133,22)  
Notch 0.157 (4,00) x 0.122 (3,10) Deep  
(Note D)  
Notch 0.079 (2,00) x 0.122 (3,10) Deep  
0.054 (1,37)  
0.046 (1,17)  
2 Places  
2 Places  
0.050 (1,27)  
0.039 (1,00) TYP  
0.125 (3,18)  
0.014 (0,35) MAX  
0.118 (3,00) TYP  
0.125 (3,18)  
0.700 (17,78) TYP  
1.005 (25,53)  
0.118 (3,00) DIA  
2 Places  
0.995 (25,27)  
0.106 (2,70) MAX  
0.157 (4,00) MAX  
(For Double Sided DIMM Only)  
4088180/A 07/97  
NOTES: A. All linear dimensions are in inches (millimeters).  
B. This drawing is subject to change without notice.  
C. Falls within JEDEC MO-161  
D. Dimension includes de-panelization variations; applies between notch and tab edge.  
E. Outline may vary above notches to allow router/panelization irregularities.  
21  
POST OFFICE BOX 1443 HOUSTON, TEXAS 77251–1443  

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