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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIMM |
| 包装说明： | DIMM, DIMM144,32 | 针数： | 144 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间： | 50 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N144 | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM MODULE | 内存宽度： | 64 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 144 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2MX64 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM144,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 自我刷新： | NO | 最大待机电流： | 0.008 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.8 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | MOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| TM2EJ64EPN-60 | TI | 2MX64 EDO DRAM MODULE, 60ns, DMA144, DIMM-144 |
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| TM2EJ64EPN-70 | TI | 2MX64 EDO DRAM MODULE, 70ns, DMA144, DIMM-144 |
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|
| TM2EP64DJN | TI | EXTENDED-DATA-OUT DYNAMIC RAM MODULES |
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| TM2EP64DJN-50 | TI | 2MX64 EDO DRAM MODULE, 13ns, DMA168, DIMM-168 |
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|
| TM2EP64DJN-60 | TI | 2MX64 EDO DRAM MODULE, 15ns, DMA168, DIMM-168 |
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| TM2EP64DJN-70 | TI | 2MX64 EDO DRAM MODULE, 18ns, DMA168, DIMM-168 |
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