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TM2EJ64DPN-70 PDF预览

TM2EJ64DPN-70

更新时间： 2024-02-16 05:08:27
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 276K
描述
2MX64 EDO DRAM MODULE, 70ns, DMA144, DIMM-144

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TM2EJ64DPN-70 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：DIMM-144针数：144
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.84
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：70 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N144
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：EDO DRAM MODULE
内存宽度：64功能数量：1
端口数量：1端子数量：144
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX64
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM144,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：2048座面最大高度：25.4 mm
自我刷新：NO最大待机电流：0.008 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.72 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：MOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：0.8 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

TM2EJ64DPN-70 数据手册

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TM2EJ64DPN, TM2FJ64DPN 2097152 BY 64-BIT  
TM2EJ64EPN, TM2FJ64EPN 2097152 BY 64-BIT  
EXTENDED-DATA-OUT DYNAMIC RAM MODULES — SODIMM  
SMMS685 – AUGUST 1997  
†
absolute maximum ratings over ambient temperature range (unless otherwise noted)  
Supply voltage range, V  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.5 V to 4.6 V  
DD  
Voltage range on any pin (see Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . – 0.5 V to 4.6 V  
Short-circuit output current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mA  
Power dissipation: TM2xP64DPN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 W  
TM2xP64EPN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 W  
Ambient temperature range, T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0°C to 70°C  
A
stg  
Storage temperature range, T  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . – 55°C to 125°C  
†
Stresses beyond those listed under “absolute maximum ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and  
functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under “recommended operating conditions” is not  
implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.  
NOTE 1: All voltage values are with respect to V  
.
SS  
recommended operating conditions  
MIN NOM  
MAX  
UNIT  
V
V
V
V
V
V
Supply voltage  
3
3.3  
0
3.6  
DD  
Supply voltage  
V
SS  
High-level input voltage  
High-level input voltage for the SPD device  
Low-level input voltage  
Ambient temperature  
2
2
V
DD  
+ 0.3  
V
IH  
5.5  
0.8  
70  
V
IH-SPD  
IL  
–0.3  
0
V
T
A
°C  
capacitance over recommended ranges of supply voltage and ambient temperature,  
f = 1 MHz (see Note 2)  
’2xJ64xPN  
PARAMETER  
UNIT  
MIN MAX  
C
C
C
C
C
C
C
C
Input capacitance, A0–A10  
Input capacitance, OE0  
Input capacitance, CASx  
Input capacitance, RAS0  
Input capacitance, WE0  
Output capacitance  
42  
58  
9
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
i(A)  
i(OE)  
i(CAS)  
i(RAS)  
i(W)  
58  
58  
9
o
Input/output capacitance, SDA input  
9
i/o(SDA)  
i(SPD)  
Input capacitance, SA0, SA1, SA2, SCL inputs  
7
NOTE 2:  
V
DD  
= NOM supply voltage ±10%, and the bias on pins under test is 0 V.  
5
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251–1443  
12345678...20

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