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TLV314QDBVTQ1

更新时间： 2024-11-10 11:11:11

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德州仪器 - TI		/
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32页	1513K
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Automotive-grade, single, 5.5-V, 3-MHz, low quiescent current (65-μA), RRIO operational amplifier \| DBV \| 5 \| -40 to 125

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TLV314-Q1, TLV2314-Q1, TLV4314-Q1

ZHCSFW1 –NOVEMBER 2016

TLVx314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器、RRIO 运算放大器

1 特性

3 说明

•

符合汽车类应用的要求

TLVx314-Q1 系列单通道、双通道和四通道运算放大器

是新一代低功耗、通用运算放大器的典型代表。该系列

器件具有轨到轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流

（5V 时典型值为 150μA）、3MHz 高带宽等特性，非

常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池

供电型应用。TLVx314-Q1 系列可实现 1pA 低输入偏

置电流，是高阻抗传感器的理想选择。

•

具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：

–

器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温

度范围

–

器件 HBM ESD 分类等级 3A

器件 CDM ESD 分类等级 C6

•

低偏移电压：0.75mV（典型值）

低输入偏置电流：1pA（典型值）

宽电源电压范围：1.8V 至 5.5V

轨到轨输入和输出

TLVx314-Q1 器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计

人员使用。该器件具有单位增益稳定性、支持轨到轨输

入和输出 (RRIO)、容性负载高达 300PF，集成 RF 和

EMI 抑制滤波器，在过驱条件下不会出现反相并且具

有高静电放电 (ESD) 保护（4kV 人体模型 (HBM)）。

增益带宽：3MHz

低 I_Q：每通道 250µA（最大值）

低噪声：1kHz 时为 16nV/√Hz

内部射频 (RF) 和电磁干扰 (EMI) 滤波器

通道数量：

此类器件经过优化，适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V

(±2.75V) 的低电压状态下工作并可在 -40°C 至 +125°C

的扩展工业温度范围内额定运行。

–

TLV314-Q1：1

TLV2314-Q1：2

TLV4314-Q1：4

TLV314-Q1（单通道）采用 5 引脚 SC70 和小外形尺

寸晶体管 (SOT)-23 封装。TLV2314-Q1（双通道版

本）采用 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装和超

薄小外形尺寸 (VSSOP) 封装。四通道 TLV4314-Q1

采用 14 引脚薄型小外形尺寸 (TSSOP) 封装。

•

扩展温度范围：

-40°C 至 +125°C

2 应用

器件信息⁽¹⁾

•

低侧感测

器件型号

TLV314-Q1

封装

SOT-23 (5)

封装尺寸（标称值）

2.90mm × 1.60mm

2.00mm × 1.25mm

3.00mm × 3.00mm

4.90mm × 3.91mm

5.00mm × 4.40mm

电池管理系统

无源安全性

电容式感测

燃油泵

SC70 (5)

VSSOP (8)

SOIC (8)

TLV2314-Q1（预

览）

TLV4314-Q1

TSSOP (14)

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

EMIRR 与频率间的关系

120

110

100

10M

100M

Frequency (Hz)

10G

本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确

性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SBOS837

12 3 4 5 6 7...32

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