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TLV314QDBVTQ1

更新时间： 2024-11-28 11:11:11
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
32页 1513K
描述
Automotive-grade, single, 5.5-V, 3-MHz, low quiescent current (65-μA), RRIO operational amplifier | DBV | 5 | -40 to 125

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TLV314QDBVTQ1 数据手册

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TLV314-Q1, TLV2314-Q1, TLV4314-Q1  
ZHCSFW1 –NOVEMBER 2016  
TLVx314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器、RRIO 运算放大器  
1 特性  
3 说明  
1
•
符合汽车类应用的 要求  
TLVx314-Q1 系列单通道、双通道和四通道运算放大器  
是新一代低功耗、通用运算放大器的典型代表。该系列  
器件具有轨到轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流  
（5V 时典型值为 150μA）、3MHz 高带宽等特性，非  
常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池  
供电型 应用 。TLVx314-Q1 系列可实现 1pA 低输入偏  
置电流，是高阻抗传感器的理想选择。  
•
具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：  
–
器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温  
度范围  
–
–
器件 HBM ESD 分类等级 3A  
器件 CDM ESD 分类等级 C6  
•
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•
•
•
•
•
•
•
低偏移电压：0.75mV（典型值）  
低输入偏置电流：1pA（典型值）  
宽电源电压范围：1.8V 至 5.5V  
轨到轨输入和输出  
TLVx314-Q1 器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计  
人员使用。该器件具有单位增益稳定性、支持轨到轨输  
入和输出 (RRIO)、容性负载高达 300PF，集成 RF 和  
EMI 抑制滤波器，在过驱条件下不会出现反相并且具  
有高静电放电 (ESD) 保护（4kV 人体模型 (HBM)）。  
增益带宽：3MHz  
低 IQ：每通道 250µA（最大值）  
低噪声：1kHz 时为 16nV/√Hz  
内部射频 (RF) 和电磁干扰 (EMI) 滤波器  
通道数量：  
此类器件经过优化，适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V  
(±2.75V) 的低电压状态下工作并可在 -40°C 至 +125°C  
的扩展工业温度范围内额定运行。  
–
–
–
TLV314-Q1：1  
TLV2314-Q1：2  
TLV4314-Q1：4  
TLV314-Q1（单通道）采用 5 引脚 SC70 和小外形尺  
寸晶体管 (SOT)-23 封装。TLV2314-Q1（双通道版  
本）采用 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装和超  
薄小外形尺寸 (VSSOP) 封装。四通道 TLV4314-Q1  
采用 14 引脚薄型小外形尺寸 (TSSOP) 封装。  
•
扩展温度范围：  
-40°C 至 +125°C  
2 应用  
器件信息(1)  
•
•
•
•
•
低侧感测  
器件型号  
TLV314-Q1  
封装  
SOT-23 (5)  
封装尺寸（标称值）  
2.90mm × 1.60mm  
2.00mm × 1.25mm  
3.00mm × 3.00mm  
4.90mm × 3.91mm  
5.00mm × 4.40mm  
电池管理系统  
无源安全性  
电容式感测  
燃油泵  
SC70 (5)  
VSSOP (8)  
SOIC (8)  
TLV2314-Q1（预  
览）  
TLV4314-Q1  
TSSOP (14)  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
EMIRR 与频率间的关系  
120  
110  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
10M  
100M  
Frequency (Hz)  
1G  
10G  
1
本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确  
性和有效性。 在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SBOS837  
 
 
 
1234567...32

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