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TLV313-Q1

更新时间： 2024-11-30 11:13:11
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德州仪器 - TI 放大器运算放大器
页数 文件大小 规格书
34页 2658K
描述
汽车级、单路、5.5V、1MHz、RRIO 运算放大器

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TLV313-Q1 数据手册

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TLV313-Q1, TLV2313-Q1  
ZHCSH12A –OCTOBER 2017–REVISED DECEMBER 2018  
适用于成本敏感型应用的 TLVx313-Q1 低功耗、轨至轨输入/输出、  
750μV 典型失调电压、1MHz 运算放大器  
1 特性  
TLVx313-Q1 器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计  
人员使用。这些器件在容性负载高达 100pF 的条件下  
具有单位增益稳定性，集成了 RFI/EMI 抑制滤波器，  
在过驱条件下无相位反转，并具有高静电放电 (ESD)  
保护 (4kV HBM)。  
1
•
符合汽车应用要求 要求  
•
具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性  
–
器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C  
的环境工作温度范围  
–
–
器件 HBM ESD 分类等级 3A  
器件 CDM ESD 分类等级 C6  
这些器件经过优化，适合在低至 1.8V (±0.9V) 和高达  
5.5V (±2.75V) 的电压下工作，且额定的扩展工作温度  
范围为 –40°C 至 +125°C。  
•
•
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•
•
•
•
•
面向成本敏感型系统的精密放大器  
低 IQ：每通道 65µA  
单通道 TLV313-Q1 器件采用 SC70-5 封装。双通道  
TLV2313-Q1 器件采用 SOIC-8 (D) 和 VSSOP-8  
(DGK) 封装。  
宽电源电压：1.8V 至 5.5V  
低噪声：1kHz 时为 26nV/√Hz  
增益带宽：1MHz  
轨到轨输入/输出  
器件信息(1)  
低输入偏置电流：1pA  
器件型号  
TLV313-Q1  
封装  
SC70 (5)  
封装尺寸（标称值）  
2.00mm × 1.25mm  
4.90mm × 3.91mm  
3.00mm × 3.00mm  
低失调电压：0.75mV  
单位增益稳定  
SOIC (8)  
TLV2313-Q1  
内部射频干扰 (RFI)/电磁干扰 (EMI) 滤波器  
VSSOP (8)  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
2 应用  
•
•
•
•
•
•
•
•
信息娱乐  
EMIRR IN+ 与频率间的关系  
引擎控制单元  
汽车照明  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
低侧感测  
电池管理系统  
无源安全性  
电容式感测  
燃油泵  
3 说明  
TLVx313-Q1 系列单通道和双通道运算放大器兼具低功  
耗和高性能优势。因此非常适合各种广泛的 应用， 如  
信息娱乐、引擎控制单元、汽车照明等。该系列 具有  
轨至轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流（典型  
值：65µA）、高带宽 (1MHz) 以及超低噪声（1kHz 时  
为 26nV/√Hz）等特性，因此对于需要在成本与性能间  
实现良好平衡的各类电池供电型 应用 非常有吸引力。  
此外，该系列器件具有低输入偏置电流，因此适用于  
源阻抗高达兆欧级 的应用。  
10  
100  
1000  
10000  
Frequency (MHz)  
C033  
1
本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确  
性和有效性。 在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SBOS884  
 
 
 
 
 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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